LLC谐振变换器详解（一）| 谐振变换器介绍

实力认证 | 瑶芯荣获盖世汽车2026 金辑奖・最佳技术实践应用奖

瑶芯AK3G4N005GAM‑A 车规级屏蔽栅沟槽 MOSFET 芯片荣获最佳技术实践应用奖，该奖项重在检验技术创新的真实产业价值，面向已实现实际应用、具备明确产业价值的技术解决方案，综合评估技术创新性、应用成效、市场验证及推广潜力，表彰从研发走向量产实践的优质技术成果。未来，瑶芯将持续深耕车规级功率半导体赛道，坚持以场景需求为导向，研发量产高可靠、高性能的功率半导体器件，打磨接受全球市场检验的 “中国方案”，为新能源汽车产业链安全与全球化发展贡献核心力量。图片来源：盖世汽车2026金辑奖颁奖盛典。

技术创新 | 面向新一代高功率车载OBC的全栈功率器件解决方案

OBC 方案正经历从早期的“两级结构（AC/DC + DC/DC）”向更高效的“单级拓扑”转型，并进一步朝着“深度集成”(OBC和小功率DC-DC共用变压器、功率桥、MCU)的方向发展。未来，它还将深度接入整车域控制，实现车辆能源调度、热管理及负载管理的智能一体化。从OBC前端的PFC，到核心的CLLC/DAB隔离变换，再到HV-LV DC/DC中后端SR和ORing，瑶芯提供IGBT+ Si FRD单管、IGBT+JBS混管、SiC MOS、SGT MOS，为客户提供真正意义上的全栈级功率器件平台。

客户认可 | 瑶芯获宁德时代颁发的2025年“质量优秀奖”

多年来，瑶芯逐步构建起覆盖研发、制造、交付全流程的质量管控体系，公司以“零缺陷”为质量目标，推动质量文化融入企业运营各环节，通过严格的质量管理机制，确保每一件产品均符合高标准性能与可靠性要求。未来，瑶芯将继续以技术创新为驱动，以极致品质为追求，与宁德时代等优秀伙伴深化合作，共同推动功率半导体技术进步，为消费者带来更可靠的产品。2025年，瑶芯作为宁德时代的功率器件供应商，凭借长期、稳定、卓越的产品质量，荣获宁德时代“质量优秀奖”称号。

荣誉奖项 | 瑶芯荣获碳化硅器件十强企业及年度优秀产品奖

同时，携手产业链上下游伙伴凝聚智慧，针对产业发展痛点提出切实可行的发展建议与策略，为我国第三代半导体产业突破技术壁垒注入强劲动力。未来，瑶芯将继续以技术创新为核心驱动力，不断提升产品竞争力，深化与产业链伙伴的合作，在第三代半导体产业发展的浪潮中持续发力，为我国半导体产业的崛起贡献更多力量。旨在表彰聚焦 SiC 器件设计、以技术创新突破行业瓶颈的先锋企业，瑶芯作为中国 SiC 器件设计领域的中坚力量，始终以。，具备业界领先的 低比导通电阻，同时兼顾极低结电容与优异抗串扰特性，多重优势协同赋能应用场景。

技术创新 | 瑶芯突破SiC MOSFET零压关断瓶颈！无缝衔接硅基方案

如图1所示，当下管MOS关断时，桥臂中点电位急剧上升，产生的高速dv/dt会通过下管的米勒电容(Cgd)以及驱动电阻Rg在下管栅极产生正向串扰电压ΔVgs。固定驱动管工作状态，调整续流管关断电压，并在驱动管开通瞬间精确捕捉续流管的反向恢复电流波形，进而提取反向恢复电荷 Qrr，若总Qrr显著增加，即表明存在明显的串扰效应。在户用光伏系统Heric逆变中，支持0V关断的650V SiC MOSFET平台通过优化器件性能、简化拓扑设计及与硅基器件的混合应用，显著提升了系统效率与功率密度，同时降低了共模噪声。

瑶芯第三代IGBT技术平台

小元胞尺寸设计、优化的 Cge/Ciss 等先进工艺，为 IGBT 注入了强大动力，实现了低导通压降 Vcesat、低开关损耗、高电流密度以及优异的 EMI 特性。基于高频应用场景的深度优化，S3系列 IGBT 器件通过创新设计实现了拖尾电流的显著降低与关断损耗的有效控制，凭借“低栅极电荷 + 软关断”设计，1200 V/75 A 器件在保持极低导通损耗的同时， Eoff较国际头部企业*7系列 降低 11 %（25 ℃Vcc=600V Vge=15V Rgon=8Ω Rgoff=8Ω），助力系统效率提升。

LLC谐振变换器详解（六）| LLC等效回路分析

但是此时从电路的原理上是无法对R的其他值进行判断的，需要通过公式的方法来判断，可以利用前面讲的虚数，只要求出谐振回路中的电流的复数形式，即。，相当于短路Lm，等效图如图4所示，此时fr1是边界线，输入频率在fr2-fr1之间的时候，就是容性区域，大于fr1的时候就是感性区域。，所以从输入端看阻抗呈感性，谐振电路工作在我们所希望的感性状态下，该频率下，输出负载（R）与增益无关。反过来，当输入的频率在fr1右边时，Lr的感抗就比Cr的容抗大了，所以大于fr1的频率就是。，连接负载的支路相当于开路，如图3所示。

LLC谐振变换器详解（五）| RLC回路频域分析

根据谐振回路里面的品质因数Q的计算公式，当L与C设定好后，R越大，说明输出电压越大。的时候，容抗会变大，而感抗会变小，整个回路呈容性，回路可以等效成电感C与R的串联, 如图5所示。因此，Q的大小代表了输出负载的轻重，Q大负载重，Q小负载就小。容抗与纯电阻向量相加，根据平行四边形法则，箭头指的就是最后的阻抗在Y轴的负半轴，所以整个回路的阻抗是。频率越大的时候，感抗就越大，而R不变，根据分压原理，UL越大，UR越小。这个频率的时候，感抗会变大，而容抗会变小，整个回路呈感性，回路可以。

LLC谐振变换器详解（四）| 谐振电路基础

根据电感的特性， U=L*di/dt，di是电感上面变化的电流，dt是变化的时间。如果输入是一个纯正弦输入的电压，那么电流与电压有一个90°的相位差，如图2所示，电流在过0的时候是整个正弦中变化斜率最大的，而电流在最顶峰时变化斜率为0。所以对于电感而言，电流是滞后电压90°的。当X=0时，即XL的大小与XC的大小相等，因为感抗与容抗的相位相差180°——呈反相关系，所以电路的电抗X=0。如图3所示，在直角坐标系中，1Ω与j1Ω相差90°，1Ω是纯阻，而j1是超前90°，所以j100是在Y轴的正半轴。

LLC谐振变换器详解（三）| 谐振变换器衍变

图4为LLC拓扑等效电路模型，也即把前面的方波发生器看成一个简单的方波电源，把变压器去掉，仅保留其电感，通过简单的折算关系将变换器后半部分等效成一个电阻Ro。等优点，但是其效率没有分立的高，且由于制造工艺的差异，集成变压器漏感的差异也较大，难以精准把控。Cr是谐振电容，谐振电容是与Lr一起起到谐振作用的需要用专业的变压器骨架来绕制的Lm是变压器原边电感，也叫。，半桥开关是由MOSFET Q1和Q2组成的，Ds1和Ds2为MOSFET寄生的体二极管，Cds1和Cds2为其寄生电容。

LLC谐振变换器详解（二）| 谐振拓扑比较

为基本变换单元，利用电路发生谐振时，电流或电压周期性地过零点，使得开关器件在零电压或者零电流条件下开通或者关断，从而实现软开关，达到降低开关损耗的目的。此时时电路的阻抗为最小值R，此时电路总电压主要加在电阻上，电流达到最大值，电路呈现纯电阻性，电流与电压同相位。由于谐振腔是不参与功率转换的，其阻抗很高的话，则谐振腔里的能量更高，这部分能量纯粹在做环流交换（返回到输入端，无功），而且增加了MOSFET的电流应力。,发生谐振时电路的导纳最小，等效阻抗最大，在激励电流一定时，电压的有效值最大。

瑶芯技术分享 | 三相维也纳PFC功率器件损耗分析

电流的流通路径为：从A相电网正极流出，经过电感La，再经过二极管Da1流到直流侧电容C1，最终通过另外两相回到A相电网，具体流通路径如图2(a)所示。电流的流通路径为：从A相电网正极流出，经过电感La，再经过开关管Sa1和开关管Sa2的反向二极管流到直流侧中点N，最终通过另外两相回到A相电网，具体流通路径如图2(b)所示。通态损耗的产生是由电流正向流经IGBT 或者FRD上产生一定的压降，损耗就是正向电流和器件两端正向压降的乘积，开关损耗和反向恢复损耗则是跟开关过程中的直流电压和开关电流有关。

瑶芯产品介绍 | 第三代 T系列IGBT ，大幅提高家电和工业设备效率

即上管打开时，下管的Vce会突然上升，从而因米勒电荷Qgc充电，带动Vge突然上升，超过Vth时IGBT就会逐渐打开。在一定短路能力的前提下，650V 75A S3 T系列单管的性能得到进一步提高，使系统具有。在家电中应用越来越广泛，同时工业设备的大型电源也需要降低功耗，因此对高效开关器件的需求也在不断增长。虽然这种解决方案会导致IGBT在开关过程中的损耗增加，但由于此类开关频率低，增加的损耗并不高。，这与大多数电机应用相匹配，且相较于650V 75A S3 H系列单管，该产品的Vcesat。

瑶芯新一代1200V G4.5碳化硅MOSFET，持续赋能新能源产业高速发展

1200V G4.5平台产品在各个温度工况下，导通电阻均低于G4平台同规格产品，在常温状态下导通电阻下降了9%，在175℃高温状态下，电阻下降了3%，导通电阻值降低意味着器件的静态功耗会更小，可选择的功率应用范围更广。在实际应用中，功率器件的导通电阻并非一成不变，通常规格书中器件导通电阻典型值指的是常温状态下器件的导通电阻，而在大功率应用场合，器件通常会工作在更高的结温下，因此，需要知道器件在高温下的导通电阻表现。图3 AKS SiC MOSFETs 归一化FOM：G4 vs. G4.5 vs. G5。

瑶芯技术分享 | 多层外延技术超结MOSFET应用

此外，采用Toll封装的新一代SJ MOSFET，通过额外的开尔文连接，不仅优化了外围电路的设计，而且不受源级寄生杂感的影响，减小了栅极振铃以及避免了环路相互干扰的问题，进一步提升了产品的稳定性。为代表的SJ MOSFET，相比上一代栅电荷（QG）下降了20％，Coss减小了40%，关断时间（TOFF）减少了60％，大幅减小寄生参数带来的损耗，提升系统效率。，使得在较小的TOLL封装里能容纳更小的电阻规格，满足应用设计人员对更高功率密度的需求，并且实现了优异的电学性能。系列的SJ MOSFET。

瑶芯技术分享 | 功率MOSFET雪崩特性

在反激变换器应用中，由于变压器漏感的原因，MOSFET关断时会产生较大的电压尖峰，电压尖峰主要由输入电压+输出反射电压+漏感感应电压组成，这时需要考虑雪崩能量，必要时，需加一些防护措施(如加强RCD钳位电路、RC吸收电路等)，保证MOSFET不被损坏。在电源输出短路及过载测试时，在原边电感中瞬间产生大电流比变化，极端情况下会电感饱和，当电感电流触发设定的阈值并且立即关断MOSFET，此时较大的di/dt，在寄生电容的作用下使得寄生三极管导通，可能导致雪崩损坏。的雪崩主要涉及在特定条件下（如高电压或大电流）

瑶芯技术分享 | LLC中同步整流MOSFET应用

主要应用领域为：消费类和工业类以及车载的功率器件应用（比如手机快充，工业开关电源，光伏储能逆变器，车载OBC，主驱逆变，各类工业/车载电机和BMS 应用）以及消费类电子市场、医疗与工控领域的MEMS传感器产品和信号链IC，具备自有知识产权、可国产替代的高可靠性和高性价比。，在电流逐渐减小时，VDS电压也趋近与0，并触发Vth_off，同样经过Turn-off delay时间后再关闭驱动信号，电流走体二极管，VDS电压再次负向跳变，最后零电流关断。，把检测到的超前的电压再延迟一段时间。

瑶芯技术分享 | MOSFET开关过程详解

主要应用领域为：消费类和工业类以及车载的功率器件应用（比如手机快充，工业开关电源，光伏储能逆变器，车载OBC，主驱逆变，各类工业/车载电机和BMS 应用）以及消费类电子市场、医疗与工控领域的MEMS传感器产品和信号链IC，具备自有知识产权、可国产替代的高可靠性和高性价比。随着Vds电压不断的降低，Vgd的电压绝对值也不断的降低， Vgd的电压由负变为0，然后开始正向增加。米勒平台电压，由系统的。，是MOSFET的重要参数之一，一般简单标记为Vth，定义为可以在源极和漏极之间形成导电沟道的最小栅极偏压。

瑶芯技术分享 | 反激式同步整流效率影响分析

主要应用领域为：消费类和工业类以及车载的功率器件应用（比如手机快充，工业开关电源，光伏储能逆变器，车载OBC，主驱逆变，各类工业/车载电机和BMS 应用）以及消费类电子市场、医疗与工控领域的MEMS传感器产品和信号链IC，具备自有知识产权、可国产替代的高可靠性和高性价比。感应出电压使得电流从次级绕组流出时，同步整流 MOSFET 的驱动电路会控制 MOSFET 导通，此时电流通过 MOSFET 流通，由于 MOSFET 的导通电阻很小，从而大大降低了导通损耗，提高了电源的效率，如图2所示。

瑶芯微电子邀您共赴2024深圳PCIM Asia展览会

采用全新的TO-247Plus-4L封装，爬电距离满足2600V 电气应力，在高压应用中，能够显著提高系统的效率，减少能源的浪费，为节能减排事业贡献力量。来自瑶芯微最新的30V SGT MOSFET平台，采用先进的PDFN5x6封装，拥有极低的导通电阻RDS(ON)，能够显著降低导通损耗，适用于紧凑设计和高密度的应用场景。中，用于列车的牵引系统，能够实现更高的功率密度和更小的体积，同时提高运行的可靠性和稳定性。此外，低开关损耗的特性使得充电桩在工作时发热更少，稳定性更高，延长了充电桩的使用寿命。

瑶芯微电子技术分享 | 用于无人机电调中的MOSFET解析

基于以上应用特点，瑶芯微推出了无人机专用MOSFET，采用屏蔽栅沟槽MOSFET AK1G4N013G-T，该器件Rds_on 最大1.3 mOhm，电压40V，DFN5X6封装，且具备超大电流关断能力，抗雪崩能力强等特点。该器件具备大电流快速关断能力，同样使用双脉冲测试在Rg=0Ω，L=6uH下测试，大电流快速关断工作波形如图3所示，MOSFET在关断时电流达777A，器件在超大di/dt下仍然快速关断，关断过程中工作在线性区。无人机电调中的MOSFET管，在续航提升、电调性能等方面发挥着关键作用。

瑶芯微电子技术分享 | 直流无刷电机驱动电路MOSFET应用

电感续流如图6所示，将Q1与Q2都截止，此时电流会通过Q5和Q4的体二极管续流，并且电流是通过输入电源形成回路的，此时对输入电源进行充电，因为W端出来，经过Q5的体二极管D5，有一个0.7V的压降，然后连接输入电源，所以W端是E+0.7V。但是，有的时候并不希望电机绕组在续流器件仍然有很大的电流，如主流新能源汽车都带有能量回收功能，也就是在刹车的时候，需要电机绕组上的电流在很短的时间内降为0，这个时候就需要快续流了，让电流的变化速度快，电流能够在短时间内变成0，能量回馈至输入电源端。