一、PFC电路EMI规划

- 上图中红色线条为PFC主功率回路,其中G1部分为PFC功率地,功率地走线需要越粗越好且环路面积越小越好;
- G2部分为PFC芯片信号地,芯片各引脚的地均需统一接到VCC供电地,然后统一连接到PFC输出大电解电容的负极;
- PFC电感磁芯需要包铜箔并接到主电容地,需要单独接到主电容的负极;
- PFC MOS驱动信号环路要尽可能下,且驱动电阻需要靠近MOS的栅极处,采样GaN,驱动的地需要连接SK脚并回到芯片地,避免与功率管的Source直连,防止干扰。
- PFC 漏极为高压动点,铺铜走线需要短且面积小。控制芯片的信号线需要远离PFC漏极,避免信号耦合;
- PFC电路中GND走线,尽可能包围PFC漏极动点,改善EMI;

红线是 PFC 驱动信号环路,PFC 驱动环路尽量小,驱动电阻紧靠功率管,远离高压动点部分,避免电压耦合;如果功率管是 GaN,驱动的 source 需要采用开尔文连接。

红线是 PFC 漏极,高压动点,铺铜走线需要短,面积不能过大,会引起 EMI 问题;芯片信号走线和低压走线远离 PFC 漏极,避免信号耦合。

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