LR 振荡器电路偏置示意图
一、图标题与核心说明
英文标题:LR Oscillator Circuit Biasing Diagram
中文翻译:LR 振荡器电路偏置示意图
图中标识:左侧为 “Forward Bias(正向偏置)”,右侧为 “Reverse Bias(反向偏置)”,均标注 “Osc.(振荡器)”,示意两种偏置状态下的电路工作模式。
二、相关文字内容翻译

Sen-XY-f 或 Sen-Z-f 传感器线圈作为感性元件,构成简单的 LR 弛张振荡电路,该电路由外部偏置电阻、MagI2C 芯片内部的数字门电路和比较器组成。线圈的电感值是磁场强度的函数,因此电路的振荡频率会随平行于传感器的总磁场强度变化而改变。
为完成一次测量,线圈的一端接地,另一端通过振荡器交替通入正向和反向电流。电路按设定的振荡次数驱动,振荡完成的时间通过 MagI2C 内部的高速时钟测量。随后,MagI2C 切换线圈的偏置连接方式并进行第二次测量:此前接地的一端改为充放电端,而另一端则改为接地。
三、电路工作原理分析
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LR 振荡电路的核心作用
传感器线圈(电感 L)与外部偏置电阻(R)构成 LR 弛张振荡电路,其振荡频率由线圈电感决定,而电感又受外部磁场影响(磁场越强,电感变化越显著)。因此,通过测量振荡频率的变化可间接计算磁场强度。 -
正向 / 反向偏置的设计目的
- 正向偏置时,线圈一端接地,另一端通入正向电流,电路产生一个方向的感应磁场;
- 反向偏置时,线圈两端极性切换(原接地端通入反向
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