什么是陷阱状态,我们为什么要关心它们?
发光(led)和光伏(PV)器件的性能取决于光活性半导体材料的质量。由于材料杂质或在制造过程中在半导体材料中无意地引入缺陷,导致偏离最佳性能。
这些缺陷被称为阱态,或简称“阱”,它是半导体带隙内的高能态。一般来说,陷阱的发生可能是由于材料杂质(在散装)或在不同材料层之间的界面。在有机半导体中,由于天然物质的无序性,阱态经常出现。在无机和杂化半导体(例如:杂化钙钛矿、硅……)中,晶界的存在是圈闭态的已知来源。
由于陷阱产生的原因多种多样,它们对装置的影响也是多种多样的。由于载流子的多次捕获和释放事件,特别是浅阱的一个非常常见的影响是有效载流子迁移率的降低。[Kna12]作为重组中心的陷阱,即所谓的Shockley-Read-Hall重组,通常会降低设备的效率。在太阳能电池中,这种机制限制了开路电压。在发光器件的情况下,这种阱态可以在器件运行期间形成和演变,导致驱动电压的增加
在接下来的博客文章中,我们将介绍如何用热刺激电流(TSC)技术表征阱状态。我们还提出了一种基于漂移扩散模拟的方法来可靠地解释TSC结果。
阱态表征
半导体器件中的阱态可以用三个参数来描述:阱态的密度Nt,它们在空穴或电子的带隙内的能量位置-到HOMO(价带)或LUMO(导带)的距离- Et,以及描述电荷阱-释放动力学的捕获率cp。同样的动态也可以用试图逃逸频率或横截面来表示。
有大量的表征技术来洞察裸薄膜和全器件中的阱态。有机和钙钛矿器件最常见的技术是:
- 空间电荷限制电流(SCLC)电流-电压(IV)扫描
- 热导纳光谱(TAS)
- 深度瞬态光谱(DLTS)

图1所示。有机半导体带隙内电子阱态示意图。
您可以使用多功能描述工具Paios来测试这些技术Learn More

图2所示。受激电流测量中的光、温度、电流和电压瞬态示意图。这个虚线方块标志着实验中有趣的部分,我们通常称之为
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