模拟IC设计基础系列8-版图设计基础

1. 模拟电路设计绪论

2. MOS器件物理基础

3. 单级放大器

4. Cascode stage 共源共栅结构分析与计算

5. MOS电路中的电流镜设计

6. 差动放大器 Differential AMP

7. MOS电路的频率响应与米勒效应

8. 版图设计基础

8.1 各层级解释

下图为cadence版图绘制界面截图
在这里插入图片描述
下表为图中各层级的定义和作用

层级 缩写 中文名 定义与作用
有源区与阱层 AA (Active Area) 有源区 定义:有源区(晶体管源/漏/沟道区域),通常是硅衬底上的掺杂区域,由光刻和浅沟槽隔离(STI)工艺定义。
作用:与GT层(栅极)交叉形成MOS管,未覆盖部分为场氧(隔离区)。
NW (N-Well) N阱层 定义:N型阱,用于PMOS管或隔离NM
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