1. 模拟电路设计绪论
2. MOS器件物理基础
3. 单级放大器
4. Cascode stage 共源共栅结构分析与计算
5. MOS电路中的电流镜设计
6. 差动放大器 Differential AMP
7. MOS电路的频率响应与米勒效应
8. 版图设计基础
8.1 各层级解释
下图为cadence版图绘制界面截图

下表为图中各层级的定义和作用
| 层级 | 缩写 | 中文名 | 定义与作用 |
|---|---|---|---|
| 有源区与阱层 | AA (Active Area) | 有源区 | 定义:有源区(晶体管源/漏/沟道区域),通常是硅衬底上的掺杂区域,由光刻和浅沟槽隔离(STI)工艺定义。 作用:与GT层(栅极)交叉形成MOS管,未覆盖部分为场氧(隔离区)。 |
| NW (N-Well) | N阱层 | 定义:N型阱,用于PMOS管或隔离NM |


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