RCA清洗系统及清洗液自适应预测温度控制

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VIP免费原创最新推荐文章于 2026-06-09 22:08:06 发布 890 阅读 AI 写同款· GEO 优化 ›

《炬丰科技-半导体工艺》用于半导体的RCA清洁技术书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：用于半导体的RCA清洁技术编号：JFKJ-21-1073 引言 RCA清洗技术是用于清洗硅晶圆等的技术，由于其高可靠性，30多年来一直被用于半导体和平板显示器(FPD)领域的清洗。其基础是以除去颗粒为目的的氨水-过氧化氢溶液组成的SC―1洗涤和以除去金属杂质为目的的盐酸-过氧化氢溶液组成的SC―2洗涤相结合的洗涤技术。SC-1洗涤的机理说明如下。首先，用过氧化氢氧化硅晶片的表面，用作为碱的氨蚀刻氧化硅，并通过剥离去除各种颗粒。此外，如图1所示，在pH 10.5附近的S 阅读详情

引言

在半导体制造工序的硅晶圆的清洗中，RCA清洗法被很多企业使用。RCA清洗方法是清洗硅片的行业标准方法，其中清洗溶液的温度控制对于稳定的清洗性能很重要，但它涉及困难，许多清洗溶液显示非线性和时变的放热化学反应，由于清洗系统具有处理腐蚀性清洗溶液的特殊设备，系统具有长而波动的时间滞后等。在这里，我们首先提出了一个系统的热模型，其中通过DSC（差分扫描量热法）方法，我们分析了清洗溶液的放热化学反应，如SPM（硫酸/过氧化氢混合物）、APM（氨/过氧化氢混合物）和HPM（盐酸/过氧化氢混合物）。

为了控制解的温度，我们使用自适应预测控制器，其中使用自适应方法来处理非线性和时变的放热反应，预测方法是为了克服时间滞后上的问题。进一步，设计了限制超调和消除稳态误差的目标轨迹，并引入了一种新的虚拟采样方法，以减少所需的内存大小和计算时间。我们展示了该热模型的有效性，并通过计算机模拟和对实际系统的控制，验证了该控制器的性能。

实验

如图1(a)所示，这里的计算使用开始控制的t=454秒以后的数据进行，需要注意的是，之前的图中的数据没有意义。另外，在t=5000秒时，作为干扰，强制改变了液体温度和液体的性质。这是为了调查与此相同程度的温度下降（约4℃）在硅晶圆浸入清洗液时产生的应答。为了进行比较，在同图(b)中显示了以前在实机中使用的PID控制器的控制结果。该修正PID为了更快地使液温上升，在控制开始后的一段时间内操作量变为最大，之后如果液温进入设定值的某个附近内，就开始PID控制。在此，PID的各增益的值不能用通过自动调谐，求得的值很好地控制，从该值出发，反复试验所得。