基本 MOSFET 恒流源

运放+MOSFET恒流源设计:原理、约束与工程落地 恒流源是模拟电路中的基础功能模块,其核心目标是实现负载无关的稳定电流输出。传统电流镜依赖器件匹配,受温度漂移、Early效应和参数离散性制约;而基于运算放大器与MOSFET构成的负反馈恒流源,通过高环路增益重构系统行为,将输出精度锚定在基准电压和采样电阻等高稳定性元件上。该方案显著提升负载调整率、电源抑制比与工作压差范围,成为LED驱动、传感器激励、激光二极管偏置等工业场景的首选。本文深入剖析其饱和区约束、运放驱动裕量、环路稳定性及元件温度系数耦合等真实工程边界,并提供可量产的选型逻辑与PCB布局规范。 阅读详情

恒流源在电路分析练习和网络定理中占有重要地位,然后它们似乎或多或少消失了。。。除非你是IC设计师。尽管在典型 PCB 设计中很少遇到,但电流源在模拟 IC 领域却无处不在。这是因为它们 1) 用于偏置,2) 作为有源负载。

偏置: 用作线性放大器的晶体管需要偏置,以便它们在其传输特性的理想部分工作。在 IC 设计中实现此目的的方法是使预定电流流过晶体管的漏极(对于 MOSFET)或集电极(对于 BJT)。该预定电流需要稳定并且独立于电流源组件两端的电压。当然,没有任何实际电路能够完全稳定或完全不受电压变化的影响,但正如工程中通常的情况一样,完美并不是必需的。

有源负载: 在放大器电路中,可以使用电流源代替集电极/漏极电阻。这些“有源负载”提供更高的电压增益,并允许电路在较低的电源电压下正常工作。此外,相对于电阻器,IC 制造技术更青睐晶体管。

在整篇文章中,我将电流源的输出称为“偏置电流”或 I BIAS,因为我认为偏置应用是思考该电路基本功能的更直接的工具。

MOSFET恒流源电路

这是基本的 MOSFET 恒流源:

基本MOSFET恒流源

在我看来,它非常简单——两个 NMOS 晶体管和一个电阻。让我们看看这个电路是如何工作的。

正如您所看到的,Q 1的漏极与其栅极短路。这意味着V G = V D,因此V GD = 0 V。那么,Q 1处于截止区、三极管区还是饱和区?它不能处于截止状态,因为如果没有电流流过沟道,栅极电压将处于 V DD,因此 V GS将大于阈值电压 V TH(我们可以安全地假设 V DD更高)比 VTH )。这意味着 Q 1将始终处于饱和状态(也称为“活动”模式),因为 V GD= 0 V,表达 MOSFET 饱和条件的一种方式是 V GD必须小于 V TH。

如果我们回想一下,没有稳态电流

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