sentaurus学习笔记(VDMOS仿真)(三)

VIPsentaurus学习笔记(VDMOS仿真)(三)
在Sentaurus中,这通常意味着在2D仿真中,x轴指向下,y轴指向右。定义了在2D模拟中,网格尺寸按照一定的增长率进行扩展,这里的增长率为2.0,意味着远离最小尺寸区域的网格单元大小将是最小尺寸的两倍。定义了2D模拟中网格单元的最小尺寸为0.001微米,这有助于控制网格的最小大小,从而影响仿真的精度和计算成本。表示启用中等级别的日志信息输出,这有助于用户了解仿真过程中发生的事件和可能的问题。表示启用保存调试文件,这可以帮助用户在仿真过程中检查和验证模型的状态。这行代码设置了仿真过程中使用的线程数。
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## Two Dimensional Process Simulation of 4H-SiC SiliconCarbide Power MOSFET
## --------------------------------------------------------------------
## Global mesh settings and mesh in newly generated layers
## --------------------------------------------------------------------
grid set.min.normal.size= 0.001 \
     set.normal.growth.ratio.2d= 2.0

## SiliconCarbide interface refinement
refinebox interface.materials= { SiliconCarbide } 

## Log output level
pdbSet InfoDefault 1

## Multi-threading
math numThreads= 4

## Using Universal Coordinate System (x down | y right)
math coord.ucs

## Save intermediate TDR files: debugging purpose
fset debug 1在sentaurus里什么意思

  1. grid set.min.normal.size= 0.001 set.normal.growth.ratio.2d= 2.0 这行设置了全局网格参数。set.min.normal.size= 0.001 定义了2D模拟中网格单元的最小尺寸为0.001微米,这有助于控制网格的最小大小,从而影响仿真的精度和计算成本。set.normal.

VIP sentaurus学习笔记(SiC NMOS仿真)(二) concentration= @Sub_Doping@`设置了氮的掺杂浓度,这里使用了一个变量`@Sub_Doping@`来表示具体的掺杂浓度值。`xrefine= "0.01 0.1 0.01"`定义了细化区域在x、y和z方向上的尺寸,这里表示x方向上的尺寸为0.01,y方向上的尺寸为0.1,z方向上的尺寸为0.01。`xlo= top`和`xhi= bottom`分别设置了区域在x方向上的最小和最大位置,`ylo= left`和`yhi= right`设置了区域在y方向上的最小和最大位置。 开通可读全文·1.7k 阅读·5 点赞·15 收藏 阅读全文

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