[NAND Flash 6.6] NAND FLASH Multi Plane Program（写）操作_multi plane 为何能提高闪存速度

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本文深入解析NAND Flash的multi plane编程操作，揭示如何通过同时对多个plane进行编程以提升闪存速度。多plane program能显著缩短编程时间，例如two plane program节省1个`tPROG时间，提高系统性能。然而，CMD和ADDR时间以及IO数据传输的串行性质限制了速度提升的幅度。在操作后，使用特定命令检查各plane的状态以确保成功。

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专栏 《深入理解NAND Flash》

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内容摘要

前言

Multi Plane 简介

Multi Plane Program 时序图

Multi Plane 提速机理

Multi Plane Program 状态检查

前言

上一篇我们介绍了 NAND FLASH 基本编程（写）操作及原理 NAND FLASH Program Operation 源码实现。这只是一次对单个 plane 写，按这样的话，要先 program plane 0 完成后，再 program plane 1。如果我偷偷告诉你，两个 plane 可以一起 program,你会不会很开心，这样可以缩短 program 时间。这便是本文介绍的 multi program 操作。

Multi Plane 简介

每个 NAND Flash 的逻辑单元

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#SSD #NAND Flash #eMMC #性能优化 #存储系统
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