[HBM] RAM Cell Self Repair | 内存单元自我修复

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专栏 《深入理解DDR》

引子

DRAM单元不断缩小的直接结果是故障率提高, HBM 使得这个问题更加突出, 目前 HBM 顶级生产商的良率也才 70%。

HBM 内部是无数个内存单元, 如果坏了一个存储单元(1 bit), 整个 HBM 存储单元都要废弃掉吗? 这可真是一粒老鼠屎, 坏了一锅粥。

聪明的人类肯定不会让老鼠得逞了,存储前辈们想到了一个办法: 就是多备一些冗余的存储资源,用来替换有缺陷的存储单元。

只是这种替换修复到底是怎样的, 坏了一个存储单元, 就找一个好的存储单元来替换?
简单这么想是没问题,但好的Cell 和 坏的 Cell, 怎么映射呢? 这样得维护多大的一张转换表呀?

出于好奇心,元元带你look look。

1. 基本知识

先认识下今天的主人公, Cell
Cell
内存单元,1 个内存单元存储一个 bit, 1GB 内存有 102410241024*8 = 8,589,934,592, 哇, 80 亿个 Cell。HBM2E 16GB, 有 1370 亿个 Cell。

Self Repair
为避免良率过低带来的损失,在存储单元中添加冗余或备用的行和列,

SDR与DDR的区别 SDR和DDR有什么区别 传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输,而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输,所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量,这也是DDR的意义——Double Data Rate,双倍数据速率。举例来说,DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽,而传统的PC133 SDRAM却只能... 阅读详情

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SDR SDRAM和DDR SDRAM的区别

而在DDR中,data eye是由紧邻的两个反相时钟沿围成,每个data eye可用的时钟沿个数减半(即只有一个),这个时钟沿只能用于驱动或采样数据,而无法把两件任务都完成。在SDR中,data eye是由两个同向时钟沿围成的(在图中即为在时钟上升沿,发送端驱动数据),中间还会有一个反向时钟沿,在该反向时钟沿的时刻(在图中即为下降沿)数据是稳定的,所以该反向时钟沿可以用来在接受端采样数据。数据采样方式DDR SDRAM有DQS。

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SDR:Single Data Rate, 单倍速率 DDR:Dual Data Rate, 双倍速率 QDR:Quad Data Rate, 四倍速率 DRAM:Dynamic RAM, 动态随机存储器, 每隔一段时间就要刷新一次数据才能够保存数据 SRAM:Static RAM, 静态随机存储器, 静态随机存储器,不需要刷新电路,数据不会丢失 SDRAM: Synchronous

坚持 1万+

SDR和DDR,Sync和Async,ONFI和Toggle的区别

SDR(Single Data Rate),写读数据使用上升沿或下降沿来触发;因为只用上升沿或下降沿,对信号准确性要求较低; DDR(Double Data Rate),写数据时通过MCU来控制DQS信号跳变沿来触发(即上升沿和下降沿均触发),所以对信号的准确性要求较高,可以通过增加同步时钟信号来提高信号的准确性; Sync模式: 是指Flash操作时需要一个源时钟来对锁存信号进行同步,提高信号采集的准确性。 因为另外一个源时钟信号来进行同步,所以对Flash的品质要求较高,如果信号不稳定,很容易导致源时钟

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