MCU__Flash区域操作

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于 2021-11-15 09:03:20 首次发布

本文介绍了STM32中的存储区划分，包括RAM和ROM，重点讲解了如何进行Flash的写入和读取操作。通过示例代码展示了如何在STM32CubeMx配置之外进行Flash操作，强调了防止RAM地址溢出的重要性，并提供了读写函数的实现。此外，还提及了Flash容量的分类以及其在存储数据方面的作用。

背景：

STM32中存储区分为：随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。
其中：

RAM为常说的内存，比如手机的2G内存4G内存等，就是程序跑起来的时候所占用的存储空间，特点是掉电数据丢失。
ROM为常说的硬盘，比如手机的64G和128G等，可以简单的理解为硬盘的存储空间，特点是掉电数据不丢失，所以又叫“非易失性存储器件”。ROM又包含：EEPROM和flash。
写Flash区操作流程：

1、确定要写入flash区域的首地址

2、对解锁flash

3、对falsh进行操作

4、对flash进行上锁

Flash容量
Flash根据容量大小可以分为以下三种：

1、小容量产品：Flash大小为1-32KB（STM32F10X_LD）
2、中容量产品：Flash大小为64-128KB（STM32F10X_MD）
3、大容量产品：Flash大小为256KB以上（STM32F10X_HD）

应用：

将单片机未使用部分的flash来存储数据，以达到掉电保存数据的作用相当于EEPROM。这里的话主要是代码的实现STM32CubeMx不用去配置，但是需要注意RAM地址，不可以地址溢出，写入Flash区域的操作如下：

/* address 可以不需要 只需要配置起始地址*/
默认配置成0x08010000即可
SN为ROM地址
void writeFlash(uint32_t address)
{
	uint16_t i=0;
	uint32_t data;
	startaddress=SN;
	endaddress=SN+4;
	HAL_FLASH_Unlock();
	FLASH_EraseInitTypeDef f;
	f.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_PAGES;
	f.PageAddress=address;
	f.NbPages=1;
	uint32_t PageError=0;
	HAL_FLASHEx_Erase(&f,&PageError);
	while(startaddress<endaddress)
	{
		if(HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD ,startaddress,Data)==HAL_OK)
		{
			startaddress+=4;
		}
	}
	HAL_FLASH_Lock();
	
	
}

读取Flash区：

/*读取内存数据*/
uint32_t readFlash(uint32_t address)
{ 
	 uint32_t myinfor=*(__IO uint32_t*)(address);
	 return myinfor;
}

标签

#单片机 #mcu #stm32