抗EMI的超低电压电流发生器

一种对电磁干扰高度免疫的超低电压偏置电流发生器设计

摘要

本文研究了超低压集成电路（ICs）电流源对电磁干扰（EMI）的抗干扰能力。基于集成电路基本模块（如电流分配器和电流相关器）的特性，提出了一种新型电流发生器。该提出的解决方案适用于为工作在亚阈值区域的集成电路提供电流，即使在电磁污染环境中也能正常工作。通过对180纳米CMOS工艺进行分析，将所提出解决方案的抗EMI能力与传统电流镜进行了比较。分析表明，在射频（RF）干扰影响电流发生器输入端的情况下，该提出的解决方案能够产生低至纳安级别的输出电流，并且具有内在的鲁棒性，而传统电流镜在相同条件下其输出电流则不具备此种特性。

关键词 : 电磁干扰（EMI）；超低电压（ULV）集成电路；电流镜；电流发生器；电流分配器；电流相关器

1. 引言

普适电子系统需要低功耗，以通过能量采集技术减少对电池的依赖 [1,2]。因此，电子电路需要在超低压电源电压 [3–6] 下正常工作。这相应地降低了逻辑阈值和噪声容限，使集成电路（ICs）更容易受到电磁干扰（EMI）的影响 [7–17]。因此，在任何电磁污染环境中，超低压（ULV）ICs 的鲁棒性保障变得更加具有挑战性，尤其是在安全关键设备中，超低功耗的需求与在各种条件下正常运行的要求同时存在 [18–20]。

用于植入式设备的集成电路可包括工作在亚阈值区域的片上偏置电流发生器，以改善电流匹配并实现方便的偏置电流调谐[21,22]。因此，本文针对存在射频干扰（RFI）的情况下，工作于亚阈值区域的集成电路对片上电流生成的基本要求进行了研究。

为此，首先在第2节简要回顾了工作在饱和区的传统电流镜的电磁干扰鲁棒性。然后，在第3节总结了工作在亚阈值区域的特定集成电路拓扑结构的特性。基于这些特性，在第4节提出了一种新的电流发生器，其电磁干扰免疫性高于现有的基于电流镜的方案。通过针对180纳米工艺的时域计算机仿真，讨论并评估了各自的电磁干扰鲁棒性。最后在第6节得出结论。

2. 射频干扰对电流镜的影响

电流镜的敏感性已被研究，并且文献中已提出了一些提高其抗电磁干扰能力的方案[23–30]。典型的方法是通过合理放置电容器来实现滤波器，从而衰减电磁干扰[23–28]。然而，所有这些方案均涉及名义上工作在饱和区（阈值以上）的晶体管。

图1 表示传统的 N型和P型电流镜。输入电流 IIN 根据比例 K=(WL)1(WL)0 被标称地转换为输出电流 IOUT。当存在电磁干扰电流 iemi 叠加在输入电流 IIN 上时，会影响输出电流 IOUT。已设置一个低通滤波器（RFCF）以突出图1a和图1b中分别命名为 IEMIOFFSETn 和 IEMIOFFSETp 的电磁干扰引起的（直流偏移）电流。请注意，全文中用于命名电流的大写和小写分别表示其直流和连续时间信号值。

在存在干扰的情况下，电流镜第一支路的总电流可以建模为连续波（CW）射频（RF）电流 iemi 与相应的直流电流 IIN 之和。这将导致N型镜的输出电流受到电磁干扰的影响，表示为 ioutemi [28]：

$$
ioutemi = K[IIN - CF\sqrt{ \frac{1}{\mu C_{ox}} \cdot \frac{2}{(WL)_0} \cdot \frac{d}{dt}(\sqrt{IIN + iemi})}]
$$

其中 $K = \frac{(WL) 1}{(WL)_0}$ 为晶体管尺寸的比值，$\mu$ 为载流子有效迁移率，$C {ox}$ 为单位面积栅氧化物电容。

公式（1）表明，对于N型镜（P型镜），由于输入节点受到电容CF的加载，输出电流的直流电平低于（高于）预期值。这意味着，相应地，输出电流 ioutemi 可被建模为期望的直流电流 IOUT 与一个被称为 −IEMI−OFFSETn（+IEMI−OFFSET p）的负（正）电流偏移之和，如图1a、b中电流镜的输出支路所示。换句话说，公式（1）可以重写为

$$
iout_{emi} = IOUT + ierror
$$

其中 $IOUT = K \cdot IIN$ 为无电磁干扰情况下的标称输出电流，而 $ierror$ 表示电磁干扰对输出电流的影响。

因此，

$$
ierror = iemi - induced = KCF\sqrt{ \frac{1}{\mu C_{ox}} \cdot \frac{2}{(WL)_0} \cdot \frac{d}{dt}(\sqrt{IIN + iemi})}
$$

这意味着输出电流上存在电磁干扰引起的偏移 $IEMI−OFFSET = |ierror| = |iemi−induced|$，使得方程(2) 可以基于直流值重写为：

$$
IOUTEMI = IOUT + IEMI−OFFSET
$$

这些解析结果的有效性基于以下假设：在N型（P型）电流镜中，晶体管Mn0（Mp0）和Mn1（Mp1）均工作在饱和区。

3. 超低压电流发生器

为了降低任何片上系统的整体功耗，降低电源电压的趋势使得集成电路向亚阈值区域工作发展，从而导致电流范围降至微安以下。这意味着镜像比K可将微安范围内的电流转换为纳安范围内的镜像电流。

为了实现超低压电流发生器，研究了工作在亚阈值区域的晶体管特性，以构建对电磁干扰更具鲁棒性的集成电路解决方案。因此，[31]电流分配器的特性和[32,33]电流相关器的特性分别在第[34]3.1节和3.1和 3.2节中进行了总结。

3.1. 电流分配器

图2展示了N型和P型电流分配器（分别为图2a和b）。这类电路能够通过分流技术提供纳安级甚至更低的源电流或吸收电流。晶体管Ma、Mb和Mf的尺寸比分别为$(W/L)_a = N - 1$、$(W/L)_b = N/(N - 1)$ 和 $(W/L)_f = 1$ [32]。每个输出支路提供的电流被逐级按因子N进行分压。换句话说，各支路提供的电流来源于参考电流的类似电阻的分压。实际上，当N= 2时，该电流分配器的行为类似于一个M2M梯形网络，可通过开关以数字方式控制，从而产生任意组合的二进制加权电流。不同的是，在该电流分配器中，N可以选择大于2，以便快速按因子N降低参考（输入）电流IREF。通过降低工作电流，在整个弱反型区中，噪声和失配将保持恒定且与电流水平无关[32]。

具有电流缩放KM=( W L) 0( W L) 1的N型电流镜和(b) 电流分配器 [32]，其电流缩放KCS=N 2)

Figure compares 3 how to scale a current IIN with a current mirror by a factor KM=(WL)0 (WL)1（见图 3a）以及通过电流分配器按因子 KCS= N 2（见图 3b）。该因子源自电流分配器的启用支路提供的 N 加权电流之和 [32]。

基于这些特性，电流分配器完全符合对超低电压集成电路进行偏置时所需的电流缩放。事实上，电流分配器已经应用于神经植入物等关键场景中，在这些场景下，低功耗和高可靠性是极为严格的要求[22,35]。这使得对电磁干扰具有鲁棒性的超低电压电流发生器的研究更具价值。

参考图 3，假设 KM= KCS= N 2= 100，并根据表 1 中报告的尺寸，提出解决方案的总面积比电流镜大 2.5×此外，为了正确设置M2M梯形分压器，需要对电流 IIN 进行镜像，这导致总功耗翻倍。然而，这种电流缩放与电流相关器特性（见第 3.2 节）相结合，能够在不增加任何额外（外部）电容的情况下，显著提高在亚阈值区域工作的集成电路电流偏置的电磁干扰鲁棒性，如下所示。

表1. 图中晶体管的尺寸 3。

3.2. 电流相关器

另一种在亚阈值区域工作的有价值的电路拓扑结构是图 4[34]所示的电流相关器。该电路计算其两个输入电流（分别命名为IA和IB）之间的相关性度量。更准确地说，输出电流IOUT与两个输入电流的乘积成正比，再除以输入电流之和：

$$
IOUT = KCC \cdot \frac{IA \cdot IB}{IA + IB}
$$

其中 $KCC = \frac{(WL) {middle}}{(WL) {outer}}$。

为了减小整体的电磁干扰引起的偏移，在此拓扑结构中，IA 和 IB 分别被认为受到P 型和N型电磁干扰引起的偏移的影响：

$$
IA = IIN + IEMI_OFFSET_p \
IB = IIN - IEMI_OFFSET_n
$$

假设 $IEMI_OFFSET_p ≈ IEMI_OFFSET_n = IEMI_OFFSET$，公式(5)可以重写为：

$$
IOUTemi ≈ KCC \left( \frac{IIN^2 - IEMI_OFFSET^2}{2IIN} \right)
$$

两个输入支路中两种不同的电磁干扰偏移贡献的影响相互补偿，从而使得：

$$
IOUTemi ≈ IOUT - KCC \cdot \left( \frac{IEMI_OFFSET^2}{2IIN} \right) = IOUT - IERROR
$$

其中

$$
IERROR = KCC \cdot \left( \frac{IEMI_OFFSET^2}{2IIN} \right)
$$

比较公式(9)与公式(3)，可以看出，总的电磁干扰引起的偏移误差IERROR现在已大大减小。实际上，在实际情况下 $IEMI_OFFSET^2 \ll IIN$，因此误差因子 $KCC \cdot \frac{IEMI_OFFSET^2}{IIN}$ 可以忽略不计，输出电流受电磁干扰的影响不大：

$$
IOUTemi ≈ KCC \cdot \frac{IIN^2}{2} = IOUT
$$

具有N型电磁干扰（EMI）引起的偏移（负偏移电流IEMI OFFSETn）的N型电流镜，以及(b) 以相反的电磁干扰引起的偏移作为输入电流的电流相关器[34])

图 5表示电磁干扰电流 iemi 如何在传统电流镜上产生电磁干扰引起的偏移 IEMIOFFSET，而当电磁干扰电流以相反符号叠加到电流相关器的两个支路时，不会影响其输出电流 IOUT。

请注意，即使电磁干扰引起的偏移电流IEMIOFFSETp和IEMIOFFSETn以相反符号叠加在电流相关器两个输入支路的标称电流IIN上（如公式(6)所示）的幅度不相等（IEMIOFFSETp ≠ IEMIOFFSETn），但数量级相当时，对输出电流IOUT的干扰影响仍会被衰减。

这一特性将在第4节通过仿真验证的新提出的解决方案中加以利用。

4. 一种抗电磁干扰的新型电流发生器

上述在亚阈值下工作的电路拓扑被用作新电流偏置电路的基本构建模块，该电路如图 6所示，其中要进行镜像和缩放的输入电流受到电磁干扰的影响。

输入电流 IIN 代表了独立的输出（ISOURCE）和吸收（ISINK）电流（ISOURCE= ISINK= IIN），这些电流来自参考电流（未在图 6 中显示）。这些参考电流通常通过电压调节器和运算放大器结合一个小的串联电阻的反馈来产生电流 [36]。为了不引入任何误差，这些模块应根据现有的设计指南进行设计，以避免其输出端出现电磁干扰引起的偏移 [37–40]。这样，即使仍然受到叠加的电磁干扰电流 iemi。因此，为了简化并仅关注电流发生器，考虑了IIN= ISOURCE= ISINK。

对于相应的叠加的电磁干扰电流（iemi= iemi,source= iemi,sink）也采用相同的假设。注意，输入支路电流（ISOURCE和ISINK）以及相应叠加的电磁干扰电流（iemi,source和iemi,sink）之间的最小差异对输出电流IOUT的数学定义影响不大。

输入电流 IIN 通过P型和N型电流分配器按比例因子 KCS 进行缩放。图 6所示电路中互补型电流分配器的存在，能够快速缩放输入电流，并利用基于N‐P偏移补偿的电磁干扰引起的偏移补偿，该补偿通过电流相关器实现[40],。来自P型和N型电流分配器的缩放后的电流流入相应的电流相关器，根据公式(7)平衡相反的偏移趋势。假设电流相关器的宽长比等于 KCC= 2：

$$
IOUT ≈ KCC \cdot \frac{IIN}{2KCS} = \frac{IIN}{KCS}
$$

在此基础上，图 6中的电路实现了适用于在纳安范围工作的集成电路且对电磁干扰具有高免疫性的类似电流镜的功能。

表2 图6中提出的新型电流偏置方法所采用的晶体管尺寸。

5. 验证与比较

为了验证所提出的电路解决方案的电磁干扰鲁棒性，已基于180纳米CMOS技术进行了时域仿真。分析参考了图5a中的传统电流镜和图6中的提出解决方案。对于这两种电流偏置方法，输出电流IOUT= 100 nA均来自受连续波射频电流IIN= 10 µA影响的输入电流 iemi。这意味着KM= KCS= 100。因此，P型和N型电流分配器均将输入电流按因子N两次分流。表2列出了图6中所示的电流分配器和电流相关器的晶体管尺寸。在此基础上，总面积比具有相同缩放因子的传统电流镜大 5×。

干扰电流iemi叠加在输入电流IIN上，并以类似于抗扰度测试的方式评估输出电流IOUT上的直流偏移[41]。每次仿真结果均指在稳态条件下输出电流的平均值，此时偏移已变为恒定，且输入受到连续波电磁干扰的影响。此外，还给出了工艺角变化的结果：慢速工艺角（ss）用虚线表示，快速工艺角（ff）用点划线表示。这些工艺角变化可能导致提出的解决方案中的直流标称输出电流IOUT最多变化10%，但不会影响其电磁干扰鲁棒性。因此，若需要精确的输出电流值，可通过校准实现，同时保持电磁干扰鲁棒性能力。

在图 7中，报告了在 100 MHz 时电磁干扰引起的偏移对电流 IOUT= 100 nA 随干扰幅度 iemi的变化情况。可以明显看出，两种结构在输出电流上的电磁干扰引起的偏移之间存在显著差异。如图 6所示的提出解决方案，在连续波射频干扰电流 iemi等于 50 µA 时，输出电流的误差低于 5%。而在相同条件下，传统电流镜的误差为 90%（从 100 变为 10 nA）。

同样，干扰的幅度保持恒定，等于 iemi= 50 µA，同时其频率在图 8 所示的射频范围内进行扫描。所提出的电流发生器在更宽的射频范围内对电磁干扰表现出更高的鲁棒性。

图 9表示由于干扰 $IOUTerror = \frac{IOUT - IOUTemi}{IOUT} \cdot 100$ 引起的输出电流（Iemi相对于无电磁干扰情况下直流值本身 IOUT的变化百分比。对 IOUT的扫描是通过简单改变输入直流电流IIN并保持连续波射频干扰 iemi在100 MHz实现的，该频率与图 7中的幅度扫描相同，并且与图 8中频率扫描的幅度相同（iemi= 50 µA）。所获得的输出电流 IOUT越低，所提方法在提供抗电磁干扰的电流方面的有效性越高。

6. 结论

本文讨论了一种适用于为工作在亚阈值区域且对电磁干扰具有鲁棒性的集成电路提供电流的新型集成方法。首先分析了传统电流镜输出电流中由电磁干扰引起的偏移。然后，基于工作在亚阈值区域的集成电路基本单元，提出了一种用于超低电压集成电路的新型电流发生器。该集成电路解决方案利用N‐P偏移补偿和电流相关器的特性，显著衰减输出电流中的电磁干扰引起的偏移。

数学结果以及时域仿真表明，对于不同频率和幅度的电磁干扰，为工作在亚阈值区域的集成电路生成电流的提出的新解决方案相比传统电流镜具有更强的电磁干扰免疫能力和更高的鲁棒性。其代价是总电流消耗较高（每个电流分配器均如此）以及面积较大，与传统电流镜相比。

资金 ： 本研究未获得外部资金支持。

机构审查委员会声明 ：不适用。

知情同意声明 ：不适用。

致谢 ： 作者感谢匿名评审人提出的宝贵建议。

利益冲突 ： 作者声明不存在利益冲突。

缩略语
本手稿中使用了以下缩略语： EMI 电磁干扰 ICs 集成电路 CMOS 互补金属氧化物半导体 RF 射频 RFI 射频干扰 ULV 超低电压 CW 连续波