Silvaco TCAD仿真例库——肖特基二极管正向特性(例子)

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此示例演示了肖特基二极管正向特性的仿真。 展示了:

  • 使用 Atlas 语法形成二极管结构
  • 设置阳极的肖特基势垒高度
  • 正向偏置阳极

代码

第一部分:描述设备

  • mesh(网格)
  • electrodes locations(电极位置)
  • doping distribution(掺杂分布)

这是位于结构左侧和右侧的,2维n型器件, 具有重掺杂浮动 p 型保护环区域,

(2D n-type device with heavily doped floating p-type guard ring regions)

肖特基阳极位于器件顶部,重掺杂阴极位于器件底部。

第二部分:使用model statement指定以下model :

  • 载流子浓度相关迁移率 (carrier concentration dependent mobility,ccsmob)
  • 场相关迁移率( field dependent mobility)
  • 带隙变窄( band-gap narrowing)
  • SRH
  • 俄歇复合(Auger recombination)

此处也指定了两个carrier model(carriers=2)。

 第三部分:设置肖特基接触

Silvaco TCAD仿真例库——肖特基二极管反向击穿特性(案例) 本文详细解析了使用Silvaco TCAD仿真例库进行肖特基二极管反向击穿特性分析的完整案例。通过构建包含浮空P型保护环的平面结构,重点阐述了针对雪崩击穿仿真的关键步骤,包括高精度网格划分、碰撞电离模型(impact selb)的启用以及反向电压的精细扫描策略。文章深入探讨了漂移区掺杂浓度、保护环设计等参数对击穿电压的影响,并提供了实用的调试心得,旨在帮助工程师精准预测和优化功率肖特基二极管的反向耐压能力。 阅读详情

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桐桐花
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