此示例演示了肖特基二极管正向特性的仿真。 展示了:
- 使用 Atlas 语法形成二极管结构
- 设置阳极的肖特基势垒高度
- 正向偏置阳极
代码
第一部分:描述设备
- mesh(网格)
- electrodes locations(电极位置)
- doping distribution(掺杂分布)
这是位于结构左侧和右侧的,2维n型器件, 具有重掺杂浮动 p 型保护环区域,
(2D n-type device with heavily doped floating p-type guard ring regions)
肖特基阳极位于器件顶部,重掺杂阴极位于器件底部。
第二部分:使用model statement指定以下model :
- 载流子浓度相关迁移率 (carrier concentration dependent mobility,ccsmob)
- 场相关迁移率( field dependent mobility)
- 带隙变窄( band-gap narrowing)
- SRH
- 俄歇复合(Auger recombination)
此处也指定了两个carrier model(carriers=2)。
第三部分:设置肖特基接触
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