黑猫带你学Nand第11篇:万字长文带你了解NandFlash的数据保持原理及特性(Data Retention)

黑猫带你学:Nand Flash详解
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1 数据保持(Data Retention)

1.1 什么是TAT、SILC、de-trapping?

  • TAT

TAT:Trap-assisted tunneling,陷阱辅助隧穿,也有叫法称为电荷陷阱现象。

这是一种物理现象,它发生在非挥发性存储器,如NAND闪存。在这种效应中,存储在闪存单元浮动栅极上的电荷(电子)由于隧道氧化物中捕获的电荷形成的电场影响,导致电荷通过隧道效应从一个能级隧穿到另一个能级,从而造成电荷泄漏。这种电荷泄漏是导致闪存数据保持问题的主要原因之一,因为它可以改变存储在闪存单元中的电荷量,进而改变其阈值电压水平,最终可能导致数据错误。

在NAND Flash中,电荷被存储在浮置栅极上。由于制造过程中的微小缺陷,一些电荷可能会被困在绝缘层(如隧道氧化层)中,这种现象称为电荷陷阱。这些陷阱电荷可能导致存储单元的阈值电压(Vth)发生变化,从而影响数据的稳定性和可靠性。

总的来说,NAND Flash的陷阱效应涉及到电荷在存储单元中的异常行为,这些行为可能受到温度、

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