Categoria:Semicondutores

• Efeito Rashba
• Estado de superfície
• Modelo de Heisenberg (clássico)
• Modelo de Heisenberg (quântico)
• Pele artificial
• Poço quântico
• Semicondutor

0–9

• 1 nanômetro
• 2 nanômetros
• 3 nanômetros

A

• Ânodo
• Antimoneto de índio
• Avalanche térmica

B

• Buraco (semicondutores)

C

• Cátodo
• Ciclocarbono
• Circuito integrado
• Circuito integrado tridimensional
• Condensação de Bose-Einstein de polaritons

D

• Die shrink
• Junção PN
• Dispositivo semicondutor

E

• Efeito de canal curto
• Efeito Schottky
• Eletrônica de estado sólido
• Epitaxia

F

• Filme fino
• Física dos semicondutores
• Fotodiodo
• Fototransístor

G

• Rádio de galena
• Germaneno

H

• Heteroestrutura quântica

I

• Indústria de semicondutores
• Isolante excitônico antiferromagnético
• Isolante topológico

L

• Large Scale Integration
• LED branco
• Líderes de vendas de semicondutores por ano
• Lista de fábricas de semicondutores
• Lógica NMOS

M

• Materiais 2D
• Memória do computador
• Mobilidade (Física)

P

• Padronização múltipla
• Polisulfeto de fenileno
• Ponto quântico
• Positive Temperature Coefficient
• Processo planar

R

• Região de depleção
• Resistência de folha

S

• Seleneto de zinco
• Siliceno
• Silício monocristalino
• Silício policristalino
• Sulfeto de cádmio
• Sulfeto de mercúrio(II)

T

• Telureto de bismuto
• Telureto de cádmio
• Teoria de bandas
• Tetratiafulvaleno
• Transístor de película fina
• Through-Silicon-Via
• Transistor orgânico de efeito de campo
• TSMC Arizona

V

• Varicap
• Veeco

W

• Weili Dai