ESD静电总结

什么是ESD(静电放电)及ESD保护电路的设计 ESD冲击金属屏蔽外壳时,最初几毫秒会比保护地电压高出许多,屏蔽外壳电压会随着 ESD电荷的转移而下降,所以最初的几毫秒内会对内部电路产生二次ESD冲击,所以仅仅使用外部屏蔽还不够,内部电路与屏蔽外壳必须共地,或者把内部电路 进行介质隔离。因此,作为主要的ESD危害来源,所有进入静电保护区域(EPA, electrostatic protected area)的工作人员必须接地,以防止任何电荷累积,并且所有表面应该接地,以维持所有东西都在相同的电势,防止ESD发生。该问题被每天的引起损害的活动复合在一起。 阅读详情

人体静电完全可能达到甚至远超 1000V,但是为什么感觉不到触电的感觉?
1.虽然静电的电压高,但是实际电荷量比较小,从而电流比较小,并且静电持续的时间短,
这个静电是足以击穿微电子器件,但是不足以对人体造成刺激或者触电的强烈感觉。
2.静电放电和真正触电是不同的
静电放电ESD中的电压非常高,几百V到几万V,但是电流很小,都是nA或者uA级别,但是真正
的电击都是mA或者A级别以上;
并且静电持续的时间短,是纳秒到微秒级别的,时间触电是电源持续接触的。
3.静点对芯片影响极大
4.人体感觉主要是对电流的刺激感,不是电压本身,即便是几千V的静电电压,由于放电路径
的电阻大,并且人体和物体之间的静电电容容量小,存储的电荷量小,结果导致电流非常小,
远远低于感知阈值。
5.静电放电持续时间短,瞬间放电就完成了。
6.静电容易对芯片损坏,因为芯片内部晶体管极其脆弱,很容易被高压击穿。
7.ESD 防护设计或者电子器件测试,我可以提供更详细的计算方法或者推荐合适的防护方案(如 TVS 管、RC 滤波、布局优化等

ESD静电等级
等级    HBM 电压等级
Level 1    ≥ 1000V
Level 2    ≥ 2000V
Level 3    ≥ 4000V
Level 4    ≥ 8000V

常见 ESD 模型
模型    模拟场景    电压等级
HBM (Human Body Model)    人体触摸带电物体    通常 ≥ 1000V、2000V、4000V
CDM (Charged Device Model)    器件本身带电    通常标准为 250V、500V、1000V
MM (Machine Model)    设备间接触、机械臂    较少使用,标准较低(100V ~ 200V)

ESD静电保护二极管指南 一、ESD静电二极管工作原理 ESD(Electrostatic Discharge Protection Devices),静电保护元器件,又称瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件,主要应用于各类通信接口静电保护,比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等接口中。ESD静电保护器件,封装形式多样,从单路的SOD-323到多路的SOT-23、SOT-143、SO 阅读详情

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