2、通过mos管构成的逻辑门电路

VIP2、通过mos管构成的逻辑门电路
一、总结mos管 是构成 逻辑门电路 的最基本单元。各个逻辑门电路的真值表如下:二、各种门1、非门NOT2、与门AND3、与非门把上面与门电路 右边的 非门电路 去掉NAND4、或门OR5、或非门NOR把或门右边的非门电路去掉6、异或门XOR两个输入相异为1,相同为0。7、同或门XNOR两个输入相同为1,相异为0。...
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一、总结

mos管 是构成 逻辑门电路 的最基本单元。

各个逻辑门电路的真值表如下:
在这里插入图片描述

二、各种门

1、非门

NOT
在这里插入图片描述

2、与门

AND
在这里插入图片描述

3、与非门

把上面与门电路 右边的 非门电路 去掉
NAND
在这里插入图片描述

4、或门

OR
在这里插入图片描述

5、或非门

NOR
把或门右边的非门电路去掉

VIP 数字IC设计----MOS管与逻辑门 1、PN节与耗尽层 P型半导体中的多数载流子为空穴,呈现正电 N型半导体中的多数载流子为电子,呈现负电 当P型半导体和N型半导体吻合在一起时,构成PN节。 多数载流子的扩散运动使得空穴从P型半导体流向N型半导体,使得电子从N型半导体流向P型半导体。进而在接触面附近形成空间电荷区,此区域内少子占优,如下图所示: 空间电荷区产生的电场力方向为从N型半导体指向P型半导体,电场力作用产生少数载流子漂移。使得空穴从N区向P区漂移,电子从P区向N区漂移。 多子扩散运动与空间电荷区电场力构成的少子漂移运动 开通可读全文·1.2w 阅读·31 点赞·178 收藏 阅读全文

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