看一看，是不是真的理解了三极管关断时刻，受到什么影响

无意间和同事讨论三极管开关电路，三极管关断时间到底是谁决定的。刚开始讨论的时候，心里觉得这么个简单电路有什么好讨论的，做过电子的谁没有用过这个电路，但是深入想想，还真没有理解到位。
 

一开始会觉得，三极管关段时间是由两部分组成：一个是存储时间ts，一个是上升时间tr。
翻翻三极管手册就都知道了。至于这两个时间是怎么产生的：实际是三极管工作在饱和导通 - 截止的开关状态，关断时集电极电压从 0V 升到 5V 的延迟，是少子存储→反向抽取→少子消散→集电极电流衰减→电阻压降消失的连锁过程，这个会涉及到半导体物理部分，太高深，也不谈的，知道个背景就行。
 

但是这个规格书给出的ts和tr时间由测试条件，和实际电路中的参数不一样，直接借鉴也不行。上文的电路图，一仿真就可以看到，ts=1.3us，tr=90ns左右的。
这个存储时间比规格书给出的足足高出6倍。
要是直接参考规格书给出的数据，设计电路，尤其是推挽电路中，就没有留出的足够的死区时间，造成电路的失效。
 

再一讨论，认为基区存储的少子无法瞬间消散：一部分被反向电流抽走，另一部分通过载流子复合（空穴 + 电子结合湮灭）消失，这个抽取 + 复合的过程需要时间，那么这个三极管的存储时间主要是受到基区电流大小的影响，只要将基极电阻减小，基极电流加大，那肯定就可以降低ts时间，但是实际并不是这样。
通过仿真调整参数，从下图仿真波形可以看到，尽管将基极电流增大十倍（当然同时将集电极电流降低了十倍，目的下节讨论），基极电流越大，存储时间反而越久，反而多了400ns左右。
 

这其中原因，我找了AI咨询，给了我各种理论：经典电荷控制模型（双极型晶体管基础理论，出自《半导体器件物理》（S.M.Sze）、《晶体管电路设计》）—— 模型假设 “存储电荷仅存在于基区”，忽略集电区的少子积累之类的信息。这些理论过于工程应用帮助有限，可能我们更多的是要考虑实际的结果，有指导型的数据。
通过将这两个电路的电流，电压，放大倍数整理后，发现了一个现象：

也就是说，三极管工作在临界饱和的时刻，关断速度是较快的，越是深度饱和（即放大倍数越小）的电路，关断速度就算越慢，毕竟深度饱和，基极存储的电荷就多，关断起来就慢。所以设计的时候，也不能仅仅只关注基极电阻-基极电流的设计，要综合整个电路来看。
基于上文分析，再次仿真两个电路，可以看到，基极电流相差10倍，分别是690uA和68uA。但是存储时间分别是1.46us和1.55us，几乎没多少差别
 

至于上升时间tr，就主要是三极管关断后，集电极电阻Rc给三极管的输出电容充电的时间常数RC决定的，R4的电阻大，则tr就大.
当然ts的大小肯定和三极管的特性有关，放大倍数，反向恢复电流，基区电子浓度等等参数，不同的三极管放在相同电路中，ts肯定也不一样。
这个文章通过仿真讨论，对于同一个三极管而言，决定关断速度快慢的关键因素是饱和深度，而不能仅仅只看基极电流和规格书给出的ts和tr的值。