一、小孙学变频学习笔记
1 变频器的主电路
1.2 逆变电路
IGBT
- IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极晶体管,是一种三端半导体开关器件,可用于多种电子设备中的高效快速开关

- 三极晶体管的三个极分别是:集电极C、发射极E和基极B,它的特点是集电极电流Ic的大小取决于基极电流Ib,故称为电流控制器件
图 - 绝缘栅场效应管(MOS),它的三个极分别是漏极D、源极S和栅极G。栅极和源极之间是绝缘的。它的工作特点是漏极电流Id的大小取决于栅极和源极之间的电压 Ugs,故称为电压控制器件
- IGBT管,它的主体部分和品体管相同,也是集电极C和发射极E,控制部分却是绝缘栅结构,通常称为控制极G。集电极电流Ic的大小取决于控制极与发射极之间的电压Uge。所以,也是电压控制器件
- 相较于大功率晶体管GTR,IGBT的开关频率更高,可以达到30kHz,同时控制极的工耗更小
- IGBT类似于其他三极管,有截止、放大、饱和导通三个状态,在变频器中只使用截止和饱和导通,类似于开关的关和开
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变频器的逆变电路&spm=1001.2101.3001.12003&articleId=148628885&d=1&t=3&u=1aaffe0de3294b158ea34fb161f75c6e)

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