小孙学变频学习笔记(二)变频器的逆变电路

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一、小孙学变频学习笔记

1 变频器的主电路

1.2 逆变电路
IGBT
  • IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极晶体管,是一种三端半导体开关器件,可用于多种电子设备中的高效快速开关
    在这里插入图片描述
  • 三极晶体管的三个极分别是:集电极C、发射极E和基极B,它的特点是集电极电流Ic的大小取决于基极电流Ib,故称为电流控制器件
    图
  • 绝缘栅场效应管(MOS),它的三个极分别是漏极D、源极S和栅极G。栅极和源极之间是绝缘的。它的工作特点是漏极电流Id的大小取决于栅极和源极之间的电压 Ugs,故称为电压控制器件
  • IGBT管,它的主体部分和品体管相同,也是集电极C和发射极E,控制部分却是绝缘栅结构,通常称为控制极G。集电极电流Ic的大小取决于控制极与发射极之间的电压Uge。所以,也是电压控制器件
  • 相较于大功率晶体管GTR,IGBT的开关频率更高,可以达到30kHz,同时控制极的工耗更小
  • IGBT类似于其他三极管,有截止、放大、饱和导通三个状态,在变频器中只使用截止和饱和导通,类似于开关的关和开
小孙学变频学习笔记(八)变频器的输入电流(下) 《变频器输入电流特性与功率因数分析》摘要:变频器三相输入电流不平衡是正常现象,其整流滤波过程不同于电阻负载,存在充电有序性和放电不均等问题。输入电流因谐波分量导致波形畸变,使传统功率因数(cosφ)无法准确反应实际功率情况。研究发现,补偿电容对谐波无功无效,可能引发谐振危险,而采用直流/交流电抗器可分别将功率因数提升至0.9和0.85。12脉波整流技术通过相位差30°的双绕组设计,显著改善波形并提升功率因数至0.95以上,目前主要应用于中高压变频器。该研究为变频器系统优化提供了重要理论参考。 1.4k 阅读·14 点赞·31 收藏 阅读详情

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逆变器设计全流程详解:从电路拓扑到控制程序实现

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