小孙学变频学习笔记(三)变频器的逆变器件—IGBT管(上)

一、小孙学变频学习笔记

1.3 变频器的逆变器件—IGBT管

IGBT管的主要参数

在这里插入图片描述

漏电流
  • IGBT管在变频器中主要作用是开关,所以饱和导通时应该尽可能加大G,E中间的电压,截止的时候应该在G,E中间加反向电压,确保截止的可靠性,而如果不是做为开关使用,反向电压就没必要了,对应下图两种情况
    在这里插入图片描述

  • 漏电流(Iceo) 是在IGBT处于关断状态时(即栅极-发射极电压Vge = 0V),集电极和发射极之间的微小电流。这是由于器件在关断状态下存在的少量载流子(例如,热激发的电子或空穴),而导致的电流。
    漏电流通常非常小,在正常工作中是不可忽略的,但它代表了IGBT在没有栅极控制电压的情况下,集电极和发射极之间的非零电流。

  • 当IGBT处于导通状态时,栅极-发射极电压Vge大于门槛电压(Vge_th),使得IGBT内部的导通通道形成,此时集电极和发射极之间的电流是由负载驱动的正常工作电流。这个电流并不属于漏电流,而是设备正常导通时的工

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茯苓gao
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