开源 AHB不对称半桥反激电路设计(六)死区时间,谐振腔电流,谐振电感函数表达式

VIP开源 AHB不对称半桥反激电路设计(六)死区时间,谐振腔电流,谐振电感函数表达式
电流跌落可以使副边电流峰值和有效值降低,减小损耗,但如果开关管 S2 导通期间,谐振电流谐等于励磁电流,即副边电流A 点降至 0,会在原边变压器内形成环流,产生损耗,同时也不利于副边同步整流管驱动的正常工作,为了保证开关管 S2 导通期。在开关管 S1 和开关管 S2 均关断的死区时间内,谐振电流给原边开关管结电容和副边整流管结电容充放电,因此会引起开关 S1 关断瞬间电流跌落与开关 S2 关断瞬间电流震荡现象,受寄生参数影响原边谐振电流波形和副边电流波形如图。降到最低,变压器以最高效率向副边传递能量。
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接上一篇周期内《原副边峰值电流,有效值电流函数表达式》这里对2个死区时间内谐振腔电路与时间进行分析

在开关管 S1 和开关管 S2 均关断的死区时间内,谐振电流给原边开关管结电容和副边整流管结电容充放电,因此会引起开关 S1 关断瞬间电流跌落与开关 S2 关断瞬间电流震荡现象,受寄生参数影响原边谐振电流波形和副边电流波形如图

受寄生参数影响谐振电流波形
为当 S1 关断后的寄生参数谐振过程等效电路图。在 S1 关断时,原边谐振电流 iLr等于励磁电感电流 iLm_max的峰值,该峰值在寄生参数谐振阶段保持恒定。
S1关断后寄生参数谐振过程等效电路图
假设 Lr<Lm,根据等效电路图,谐振电流 iLr可以表示为:

i L m m a x ≈ I L m m a x ⋅ 2 C o s s 2 C o s s + C p s + I L m m a x ⋅ C p s 2 C o s s S + C p s × c o s ( ω r t ) i_{Lmmax}\approx I_{Lmmax}\cdot\frac{2C_{oss}}{2C_{oss}+C_{ps}}+I_{Lmmax}\cdot\frac{C_{ps}}{2C_{oss_S}+C_{ps}}\times cos(\omega_{r}t) iLmmax​≈ILmmax​⋅2Coss​+Cps​2Coss​​+ILmmax​⋅2CossS​​+Cps​Cps​​×cos(ωr​t)

其中:
ω r = 1 2 C o s s C p s 2 C o s s + C p s L r \omega_{r}=\frac{1}{\sqrt{\frac{2C_{oss}C_{ps}}{2C_{oss}+C_{ps}}L_{r}}} ωr

VIP AHB不对称半桥反激电路设计(三)主要器件参数规格计算 本文介绍了AHB拓扑变压器的设计步骤与核心参数计算,包括主控芯片选择、工作原理分析及参数计算。作者选择DK87XXD集成MOS方案,详细阐述了输入电压范围、反射电压限定、匝比计算、工作频率设定、原副边电流值、电感量计算、磁芯选择、匝数计算、谐振电容设计等关键步骤。通过公式推导与实例计算,展示了150W电源的变压器设计过程,最终确定匝比5.5、原边22匝、副边4匝、电感量200uH等参数。文章还讨论了谐振电容与漏感的关系,为后续调试提供理论基础。该设计方法结合理论分析与工程实践,适用于AHB拓扑电源开发。 开通可读全文·3.3k 阅读·32 点赞·25 收藏 阅读全文

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