低功耗MEMS麦克风前端设计

低功耗麦克风前端

1 引言

自1876年首个麦克风发明以来，碳粒麦克风于1878年被引入，成为早期电话系统的关键组件。1942年，为无线电广播开发了带式麦克风。1962年自偏置电容或驻极体麦克风（ECM）的发明代表了该领域的首次重大突破。事实上，驻极体麦克风因其在低成本下实现高灵敏度和宽带宽的特性，在过去几十年中一直主导着大批量应用市场，直到最近十年MEMS麦克风开始流行起来[1]。

首款基于硅微加工技术的麦克风（MEMS麦克风）于1983年推出。得益于先进制造技术的应用，MEMS麦克风相较于驻极体麦克风具有多项优势：更优的性能、更小的尺寸、与高温自动化印刷电路板（PCB）贴装工艺兼容，以及对机械冲击更低的灵敏度。此外，MEMS麦克风可与互补金属氧化物半导体电子器件集成在同一芯片上，或更常见地封装于同一封装内[2]，从而减小面积、降低复杂性和成本，同时提高效率和可靠性，并

性能。因此，大约在2014年，MEMS麦克风在销售数量上超过了ECM麦克风，年市场规模增长超过11%，如图1所示。

MEMS麦克风可以通过利用不同的换能原理来实现，例如压电式、压阻式和光学检测。然而，超过80%的已生产的MEMS麦克风基于电容式换能，因为它能够实现更高灵敏度、更低功耗，并且更兼容批量生产。

前端电路对于MEMS麦克风至关重要，因为这是相对于ECM麦克风最重要的竞争优势之一。因此，高性能前端电路的发展始终与MEMS麦克风的演进并行进行[3–11]。这导致其功耗持续降低，同时保持甚至提升了音频性能，例如信噪比（SNR）、动态范围（DR）和总谐波失真（THD）。这一趋势主要由便携式应用推动，这些应用的音频相关功能已显著扩展。例如，语音接口正变得无处不在。越来越多的人现在通过与移动设备对话，要求发送电子邮件和短信、搜索路线或在互联网上查找信息。这些功能需要持续监听，从而对麦克风模块的功耗提出了严格限制。因此，低功耗是现代MEMS麦克风前端电路的关键设计目标。

2 电容式麦克风

麦克风是一种将气压扰动（即声音）转换为电量的传感器。在电容式麦克风中，压力变化引起机械质量的振动，进而转化为电容变化。声压通常以分贝 SPL（声压级）表示。

声压为 20 μ帕斯卡，对应0分贝SPL，通常被接受为听觉阈值（人耳可检测到的1千赫兹信号的最低幅度）。面对面交谈的声音压级范围在60分贝SPL至70分贝之间SPL。如果说话者距离听者（或麦克风）1英寸，则声压级升至94分贝SPL，例如手机中就是这种情况。因此，在声学应用中，将94分贝SPL（相当于1帕斯卡）的声压级用作参考值。声学系统的性能参数（如信噪比）通常在1帕斯卡和1千赫兹条件下规定。典型的声压级的其他一些示例见图2。

2.1 微机电系统麦克风

一个MEMS电容式麦克风，其简化结构如图3所示，基本上由两个相距x的导电板组成。

情况下，外壳固定不动，而底板能够响应声压移动，从而相对于其稳态值（x）产生变化（Δx），该变化与瞬时压力水平（PS）成正比。电极的不同布置方式和制造解决方案是可能的，但基本原理不变[12–18]。

微机电系统麦克风的电容由以下公式给出

$$
C(PS)= \frac{\varepsilon_0 A}{x(PS)} = \frac{\varepsilon_0 A}{x_0+\Delta x(PS)} \quad (1)
$$

其中A是最小电容器极板的面积，ε₀是真空介电常数。

微机电系统麦克风电容器最初被充电至固定电压VB，电荷为Q= C₀VB，其中C₀是在无声音情况下的电容值（x= x₀）。因此，假设声压变化ΔPS与位移Δx（Δx= −kΔPS）之间呈线性关系，则电容变化会在麦克风两端产生一个电压信号（ΔV），其表达式为

$$
\Delta V= \frac{Q}{C(PS)} - \frac{Q}{C_0} = \frac{Q\Delta x}{\varepsilon_0 A} = -\frac{kC_0 V_B}{\varepsilon_0 A} \Delta PS= -\kappa \Delta PS \quad (2)
$$

其中 κ表示麦克风的灵敏度。为了避免电压信号 ΔV衰减，前端电路的输入阻抗必须极大，从而确保Q保持不变。

在实际实现中，MEMS麦克风不仅仅是一个电容器——还需要考虑一些额外的寄生元件。实际MEMS麦克风的等效电路如图4所示。

除了可变电容C(PS)之外，等效电路还包括两个寄生电容CP1和CP2，它们分别连接在MEMS麦克风的每个极板与衬底之间，以及一个与C(PS)并联的寄生电阻RP。这些寄生元件的值取决于具体的

2.2 MEMS麦克风模块

电容式MEMS传感器的源阻抗极高，使其输出信号极易受到电磁干扰以及布线寄生参数引起的衰减。在大多数系统中，通过导线或PCB走线将未缓冲的MEMS传感器输出直接连接到负责数字化和处理该信号的片上系统（SoC）是不切实际的。

如图5所示，MEMS麦克风传感器通常与一个包含偏置和缓冲电路的小型专用集成电路共同封装。升压电荷泵将电源电压VDD转换为MEMS偏置电压VB。

由于传感器灵敏度与其偏置电压成正比，如公式(2)所示，因此VB被设置为相对较高的电压，通常在8–12 V范围内。VB的上限受限于一个称为吸合电压的关键电压，当达到该电压时，MEMS膜片会坍塌，导致器件无法正常工作。

一个简单的低噪声放大器具有极高的输入阻抗，可生成麦克风信号的缓冲版本，该信号可通过导线或PCB走线传输至处理SoC。在最简单的情况下，该放大器可由单个场效应管晶体管实现。麦克风模块的输出

通常是单端的，但考虑到平衡差分输出在功耗几乎没有增加的情况下能提供更高的性能，因此这种输出正变得越来越常见。

2.3 MEMS麦克风模块的性能

商用麦克风模块的性能通常由以下几个关键参数规定：

灵敏度 在94分贝SPL、1千赫兹正弦输入信号作用下，麦克风输出端产生的均方根电压，以分贝V表示。对于现代MEMS传感器，麦克风灵敏度通常在 −32分贝V到 −42分贝V之间。

灵敏度容差 这是麦克风阵列中的一个特别关键的参数，增益失配会降低波束成形和其他语音处理算法的性能。最先进的MEMS麦克风通常可实现 ±1% 的灵敏度匹配，相比驻极体电容麦克风通常标称的 ±3%，已有显著改善。

信噪比（SNR） 参考1千赫兹、94分贝SPL信号所产生的输出与无输入时残余输出噪声底限之间的比值，在20赫兹至20千赫兹频带内进行A计权积分。许多近期的MEMS麦克风实现了60至70分贝范围内的信噪比，顶级模块目前接近75分贝的信噪比。在此类别中，最好的驻极体电容麦克风仍略优于MEMS器件，可达80分贝信噪比，但其物理尺寸要大得多。

声学过载点（AOP） 麦克风总谐波失真（THD）达到10%时的声压级。它表示麦克风在不严重失真信号的情况下能够处理的最大声学水平。当前MEMS麦克风的典型AOP水平为120–130 dBSPL，一些麦克风现已达到135–140 dBSPL。近年来的趋势是AOP迅速提高。尽管达到超过人类痛阈（见图2）的AOP似乎值得怀疑，至少在消费电子产品背景下如此，但高AOP实际上非常有用，可防止因风噪、靠近大功率扬声器或低频类似撞击的信号（例如汽车关门时车内发生的情况，或火车通过隧道时等）导致的麦克风饱和。临时的麦克风饱和可能会干扰自适应语音处理算法，例如用于主动降噪（ANC）耳机中的算法，应尽量避免。

失真（THD 或 THDN） 通常在1kHz下测量，并根据制造商的不同在不同的声压级下进行，THD通常在1%到0.04%之间。

输出阻抗 通常在50–1000 Ω范围内。

电源抑制比（PSRR 或 PSR） 两者均表示专用集成电路抑制电源电压上杂散噪声的能力；主要区别在于，PSRR以分贝比值表示，而PSR以分贝V或A加权分贝V（dBV-Aw）表示。各制造商的测试条件有所不同，但通常会注入217赫兹或1千赫兹、100毫伏pp的方波或正弦波作为电源噪声。PSRR的典型范围为45–75分贝。

3 麦克风前端架构和规格

微机电系统模块的接口电路用于读取模拟信号并将其转换到数字域。图6展示了用于单端和差分麦克风的MEMS电容式麦克风模块典型前端电路的系统框图。该电路由一个可编程增益前置放大器（PGA）和随后的模数转换器（ADC）组成。前置放大器的输入通常采用交流耦合，以消除麦克风输出端的直流电压。由交流耦合形成的RC网络还可作为高通滤波器（HPF），用于滤除低频噪声，例如由风噪和其他不希望的声学源产生的噪声。

对于单端麦克风输出，最好将麦克风的接地端通过交流耦合连接到可编程增益放大器的负输入端，以抑制可能耦合到布线或PCB走线中的共模干扰。在接地线上通常使用一个串联电阻器来均衡负端线路的阻抗水平，从而改善射频干扰抑制[19]。串联磁珠

和/或一个小型射频分流电容也常被放置以减少走线中的射频噪声[20]。

3.1 接口要求

一般来说，麦克风接口的基本要求是将麦克风的模拟信号数字化，同时不显著降低其质量。由于麦克风模块通常由系统制造商根据多种标准（成本、性能、物理尺寸、可制造性、商业关系等）进行选择，因此通用麦克风接口必须能够高效地连接各种先进的商用麦克风模块。下一部分将描述如何将关键麦克风参数转化为其接口电路的电气规格。不同麦克风前端的性能质量自然与其功耗之间存在权衡。通常，功耗越高，性能越好。

声学到电学领域

图7说明了假设的麦克风在声学和电学领域中，麦克风灵敏度、信噪比、最大声学输出和动态范围之间的关系，该麦克风具有−35分贝灵敏度、70 dB信噪比和128分贝SPL最大声学输出。

在图8中，收集了来自不同制造商的可用MEMS模块的信噪比/灵敏度/最大声学输出规格，并将其转换为噪声基底和电压

麦克风输出端的电压摆幅。电压摆幅以单端峰峰值表示，因为这对于确定前置放大器的裕量要求是最有用的信息。从该图表中，可以提取出接口电路的一些关键参数：

最大输入电压摆幅 虽然传统的ECM（以及早期的MEMS）麦克风通常产生的信号在100 mVpp或更低范围内，但近年来具有高声学过载点和高灵敏度的MEMS麦克风能够产生显著更大的信号，单端信号约为1–2 Vpp，差分信号约为2–4 Vpp。通用麦克风接口应能够处理此类信号而不发生失真；根据电路架构的不同，这可能需要为前置放大器的输入级使用相对于其余接口电路更高的电源电压。

折算到输入端的噪声和动态范围 许多高端MEMS麦克风的输出噪声底限接近 −105 dBV-Aw，同类中最佳可达 −112 dBV-Aw。因此，高性能麦克风接口的折算到输入端的噪声应低于 −118 dBV-Aw，以避免整体信噪比和动态范围的衰减（这当然需要更高功耗）。

前置放大器增益 前置放大器对来自麦克风的信号进行缓冲，并调节其幅度以匹配模数转换器的满量程。原则上，固定前置放大器增益已足够；然而，要满足所有最坏情况要求，则需考虑更多因素。
麦克风输出端的电压摆幅。电压摆幅以单端峰峰值表示，因为这对于确定前置放大器的裕量要求是最有用的信息。从该图表中，可以提取出接口电路的一些关键参数：
最大输入电压摆幅 虽然传统的ECM（以及早期的MEMS）麦克风通常产生的信号在100 mVpp或更低范围内，但近年来具有高声学过载点和高灵敏度的MEMS麦克风能够产生显著更大的信号，单端信号约为1–2 Vpp ，差分信号约为2–4 Vpp 。通用麦克风接口应能够处理此类信号而不发生失真；根据电路架构的不同，这可能需要为前置放大器的输入级使用相对于其余接口电路更高的电源电压。
折算到输入端的噪声和动态范围 许多高端MEMS麦克风的输出噪声底限接近 −105 dBV-Aw，同类中最佳可达 −112 dBV-Aw。因此，高性能麦克风接口的折算到输入端的噪声应低于 −118 dBV-Aw，以避免整体信噪比和动态范围的衰减（这当然需要更高功耗）。
前置放大器增益 前置放大器对来自麦克风的信号进行缓冲，并调节其幅度以匹配模数转换器的满量程。原则上，固定前置放大器增益已足够；然而，要满足所有最坏情况要求，则需考虑更多因素。
同时处理电压摆幅和输入噪声是一个极具挑战性的任务。处理 2 Vpp满量程且噪声底为 –118 dBV-Aw的信号需要 115 dB 的 ADC 动态范围，这在芯片面积和功耗方面代价较高。为了降低对 ADC 的要求，通常采用具有可变增益的前置放大器来补偿不同麦克风灵敏度的差异。前置放大器增益范围的低端由最大麦克风信号决定，如上一段所述。假设 ADC 满量程为 1 Vrms差分，最大输入摆幅为 2 Vpp单端，则最小前置放大器增益达到 3 dB 即可满足要求。在高端方面，传统前置放大器的增益通常在 20–40 dB 范围内；然而，鉴于近期麦克风 AOP 电平的提升，这种设计已不再可行。如图 8所示，大多数现代 MEMS 麦克风在接近 AOP 时至少能产生 0.5–1 Vpp的信号，这将最大可用增益限制在 12–15 dB。前置放大器增益步进应为 3 dB 或更小，以便根据系统中使用的特定麦克风调整接口特性。
交流耦合与直流耦合交流耦合之所以普遍，是因为它能够阻断麦克风两端的未知直流电压，且不会产生功耗或性能影响。这通常通过一个外部昂贵电容器实现，电容值在几个μF范围内，以使高通极点保持在1 Hz左右。近年来，由于对PCB面积或物料清单成本有严格限制的应用需求，直流耦合开始被引入。已有若干解决方案提出用于实现直流耦合[21–24]。然而，在设计直流耦合前置放大器时，通常不可避免地需要在功耗、信噪比性能和/或芯片面积 之间进行权衡。本章重点讨论交流耦合接口。
输入阻抗 MEMS麦克风的源阻抗通常在 200 Ω到1 kΩ之间（如果包括 ECM麦克风，则为2.2 kΩ ）。即使具有低输出阻抗的MEMS麦克风也通常是限流的，无法在重阻性负载下驱动其峰值信号。为了避免麦克风信号出现明显衰减和失真，通用前置放大器的输入阻抗必须达到10 kΩ或更高。由于麦克风输入端存在交流耦合电容，会与该级的输入电阻形成高通滤波器，从而对前置放大器的输入阻抗带来进一步限制。
线性度鉴于大多数麦克风的总谐波失真限制在 ≥0.04%（−68 dB），与其他参数相比，接口电路的线性度要求相对宽松。对于大多数应用而言，总谐波失真< −75 dB通常已足够。
接下来将介绍每个模块（PGA和模数转换器）的电路与系统解决方案， 重点强调功耗与性能之间的权衡。

4 前置放大器设计

传统的前置放大器由一个具有大输入电阻的电阻反馈运算放大器组成，如图 9 所示。
该架构被广泛应用于许多商业产品中，因为它非常简单，并且即使在大输入信号下也能确保良好的线性度，但在实现宽增益范围方面存在一些局限性。实际上，为了避免衰减麦克风信号，输入电阻必须较大，因此需要更大的反馈电阻。结果，前置放大器面积和输入参考噪声都会变得过大。为了克服这些局限性，一种便捷的解决方案是采用基于跨导输入级的前置放大器，如图10所示，从而在无需使用产生噪声的大电阻的情况下，实现高输入阻抗和高增益范围。

4.1 最新进展：跨导放大器

图10所示电路的效率取决于输入跨导级的实现，该输入跨导级必须结合低功耗与宽增益可编程性。
最简单的情况下，一个线性化的跨导器可以实现为一个由恒定电流Ib偏置的源极退化差分对。其总跨导为Gm= gm/(1+ gmR)，当R ≫ 1/gm时，可近似为R。
图 11展示了源极退化差分对的两种实现方式。这两种解决方案具有相同的输入/输出传输函数，但通常更倾向于选择版本 (b)，因为它具有更好的电压裕量，原因是电流 Ib不流经退化电阻。然而，版本 (a) 在噪声方面具有一项基本优势：与偏置电流 Ib相关的噪声电流在 Iop和 Ion之间均等分流 （小信号条件），并成为共模噪声分量，随后被跨阻级抑制。另一方面，在版本 (b) 中，两个尾电流产生不相关的噪声电流，并叠加到差分信号电流上。此外，它们的失配还会导致失调。这使得结构 (a) 成为音频前置放大器的更优选择。
在满量程信号条件下，这两个电路几乎等效，因为来自Ib的噪声完全被引导至Iop和Ion，并叠加到差分信号电流上。在满量程正弦输入时，版本 (a) 相较于版本 (b) 仍保持 3 dB 优势。
为了进一步提高跨导器的线性度，可以为晶体管M1p和M1n添加反馈结构，以降低其输出电阻，并在Vip − Vin电阻器R1上产生更精确的电压复制。
基于超级源极跟随器（SSF）的一个典型示例如图12b所示。该简单电路在此应用中非常有效，并且与(a)相比，它可实现
输入晶体管M1在恒定电流下工作，从而保持信号无关的Vgs，并将节点X上的阻抗减小为原来的gmr0倍。
基于该技术的一种优秀的MEMS麦克风前置放大器已在[25]中提出，
如图13所示。晶体管M1和M2,、电流源I1和I2,以及反相放大器A1和A2构成一个有源反馈环路，用于提高线性度。该级的有效跨导由源极退化电阻 RS决定（gm= 1/RS）。与传统的退化差分对相比，该跨导器的线性度和增益精度通过附加因子gm1, 2A1, 2RX, Y得到提升，其中gm1, 2是M1和M2,的跨导，A1, 2是反相放大器的增益，RX, Y是X或Y节点的阻抗。借助这些额外的设计参数，可以独立优化折算到输入端的噪声、线性度和增益精度。M3,、 M4,和RS的噪声影响与传统的退化差分对相同，但有源反馈环路的高环路增益有助于降低除晶体管M1,、M2,、I1,和I2之外所有元件的折算到输入端的噪声。与传统的跨导器相比，该电路在相同或更低功耗下实现了更好的线性度和增益精度。
该前置放大器的总谐波失真 + N基于图13所示方案，增益范围为22 dB至42 dB，如图14所示。该前置放大器消耗350μW。

)

4.2 提高跨导放大器

H类自适应偏置

通过采用自适应偏置技术，可以在效率方面进一步提升，这种技术能够降低音频电路的平均功耗，并利用语音/音频信号的突发特性。一些作者提出了带宽自适应前置放大器[26]。文献中已提出幅度自适应放大器的示例，见 [27]。
一种传统的源极退化跨导器工作在A类，其偏置电流为等于或大于峰值输出电流的恒定电流。然而，当输入信号幅度较小时，可以暂时降低偏置电流而不会造成任何性能损失。瞬时偏置电流的大小由一个包络检波电路控制，该电路跟踪输入信号的幅度。这一原理可视为传统H类电压放大器的电流域模拟。图15所示为可用于调节主跨导器尾电流的包络检波器。

主跨导器的一个缩放版本生成与输入信号成正比的差分电流，该电流随后被整流，并由晶体管M3r转换为电压模式，再由具有毫秒范围长衰减时间常数的峰值检测器进行处理。峰值检测器的泄漏元件由沟道p型晶体管M5实现，该晶体管工作在深亚阈值区。峰值检测器的输出随后由晶体管M4r重新转换为电流Itail。
峰值检测器中的长时间常数有助于滤除来自电流Itail的音频带成分，否则由于主跨导器的有限共模抑制比，可能会降低整体总谐波失真。然而，总谐波失真与功率效率之间存在权衡：更长的时间常数会使可编程增益放大器在更大比例的时间内以高偏置电流运行。图16显示了理论上的跨导器功耗
功耗与时间常数的关系，针对各种语音和音乐信号，归一化到理想A类跨导器的功耗。对于10毫秒的时间常数，H类工作模式的功耗节省范围从12% （绿色曲线，高度压缩音乐）到71%（蓝色曲线，语音）。

主跨导电路

跨导器的整体电路如图17所示。来自包络检波器的可变尾电流通过源极退化的n沟道晶体管M3, M4,和M5进行镜像，以从输出电流中去除Itail的共模分量。
由于镜像操作不可避免地引入误差，因此存在残余的共模电流，并由OP1, M6,M7构成的共模反馈环路予以消除。

跨导增益选择开关

通过切换退化电阻 R1的大小来选择PGA增益。这可以优化噪声与信号幅度的关系，从而最大化效率。开关电阻阵列如图 18所示。由于开关与多晶硅电阻串联并承载信号相关电流，开关电阻的线性度直接影响可编程增益放大器的 THD性能。
开关源端的电压Vtail是输入信号的整流并电平偏移版本，这使得在栅极偏置为Vg= 0的情况下，难以使用p沟道晶体管实现导通开关，除非选择极大的W/L。因此，导通开关的栅极被偏置在电压VbON= Vtail − RLSIbLS，从而实现恒定Vgs偏置，使开关电阻在信号摆幅范围内几乎保持恒定。电流I bLS被选择为 ≪Ib。

电源电压选择

通过为给定的PGA增益设置选择最合适的电源电压，可以将PGA中的功耗降至最低。在大多数电池供电系统中，至少有两种电源可用：电池本身（锂离子电池的典型值为3.7伏）以及一个或多个稳压电源，其电压取决于技术选择。
低PGA增益用于高灵敏度麦克风，这类麦克风可输出高达2 Vpp的单端信号。在这种情况下，应使用电池电压以最大化裕量。这种方法的一个问题是，由于电池连接了DC/DC转换器、射频功率放大器等，其电压是可变的且通常噪声较大。除非跨导器的尾电流设计能够实现很高的电源抑制比（ PSRR），否则建议在电池和PGA电源之间插入一个低压差稳压器（LDO）。
只有跨导级需要较高电源电压；随后的跨阻级始终可以在较低电源电压下工作。
对于12分贝（信号 ≤ 0.25 Vrms）或更高的增益，信号摆幅足够低，可使跨导器在1.8伏电压下工作。
跨导器输入端的直流偏置电压必须随电源电压进行调整，以保持信号摆幅位于跨导器的线性区内。

具有可变源退化电阻的电流源

在为对噪声敏感的电流源设计源退化电阻时，噪声与裕量之间存在权衡：对于给定的电流电平，较高的退化电阻意味着更低的1/f噪声和更高的电压裕量。
当可编程增益放大器工作在最低增益设置（高灵敏度麦克风）时，大信号摆幅要求使用尽可能少的电阻退化。这是可以接受的，因为折算到输入端的噪声在大信号情况下也可以增加
信号条件。随着增益的增加，裕量要求变得更为宽松，而噪声要求则变得更加严格，因此适当地逐步增加源极退化电阻的量是合适的。

5 模数转换器

MEMS麦克风前端电路中的模数转换器通常采用ΣΔ调制器（ΣΔM）实现，该调制器利用过采样来达到所需的动态范围。特别是连续时间（CT） ΣΔM是降低功耗最有前景的解决方案，因为与传统上使用的开关电容器（SC） ΣΔM相比，它们所需的运算放大器（op‐amps）带宽更低。Schreier品质因数定义为FoM+ 10 log（B/P），其中B为带宽，P为功耗，是用于比较不同模数转换器解决方案的一个有用指标。图19显示了最近发表的模数转换器的FoMS值随奈奎斯特频率FN= 2B的变化情况。

5.1 最新进展：连续时间 ΣΔ调制器

在音频领域（B= 20 kHz），采用15级量化器的三阶CT ΣΔM实现了业界最佳性能（FoMS= 180 dB），其框图如图 20 所示。它通过以下几项电路和系统选择实现了卓越的效率 [28]。

CT ΣΔM 的环路滤波器由一个谐振器（二阶传递函数）和随后的积分器组成。在量化器周围采用本地反馈DAC（DAC2）以及专用的前馈路径，用于补偿过量环路延迟（ELD）。环路滤波器的前馈路径与本地ELD反馈路径在积分器输入端进行区分并相加，以避免在量化器输入端使用有源加法器。
多位量化器驱动一个带动态单元匹配（DEM）的15级DAC（DAC1），以闭合CTΣΔM的主反馈环路。
CT有源RC实现的示意图ΣΔ如图21所示。谐振器采用单个运算放大器实现，并且在量化器输入端未使用有源加法器，因此仅需两个运算放大器即可实现三阶环路滤波器传递函数。用于ELD补偿的本地反馈DAC采用开关电容结构实现，而主反馈DAC则采用三级（−1、0、1）电流舵拓扑结构，从而确保小输入信号时的最小噪声。实际上，采用三级拓扑结构后，未使用的 DAC电流源不会连接到谐振器输入端，因此不会对CT ΣΔM噪声产生贡献。
多位量化器由14个相同的差分比较器和一个来自模拟电源的电阻分压器构成，用于生成阈值电压。用于实现CT ΣΔM的无源元件值汇总于表1中。电阻Ri的值选择为低至47 kΩ以满足热噪声要求，而R1, R3,R4, C1, C2, Cf和C4则根据所需CT ΣΔM系数相应确定。最终，如果前置放大器采用直接提供输出电流的跨导器实现，则可省去电阻Ri。两个运算放大器均采用两级米勒补偿拓扑结构实现，其中晶体管尺寸和

偏置电流的大小被设计为满足噪声要求（第二个运放中的值相对于第一个运放进行缩放，因为其噪声贡献可忽略不计）。
该连续时间 ΣΔ调制器采用0.16‐μ米互补金属氧化物半导体工艺制造。
图2为0.21平方毫米芯片的显微照片，如图22所示。图23显示了测得的信噪失真比随输入正弦信号幅度的变化情况，测试频率为 1∼千赫兹。满量程输入信号（0 dBFS）对应1 Vrms差分。实现的动态范围为106分贝（A加权），相当于约17位的有效位数，峰值信噪失真比为91.3分贝。当输入信号幅度大于 −17 dBFS时，信噪失真比曲线斜率的变化是由于使用超过一个三级数模转换器单元时电流导向数模转换器噪声增加所致（在麦克风应用中可接受，因为大输入信号下的性能受限于麦克风本身）。
CT ΣΔM 输出频谱在−60分贝FS和 −1分贝FS下测得的 1千赫兹输入信号如图 24所示。正如预期，在 −1分贝FS时，由于数模转换器噪声增加，噪声底相比 −60分贝FS提高了约 10分贝。图25显示了测得的 CT ΣΔM 的固有抗混叠特性。频谱

在f s附近的分量会被混叠回音频频带，但衰减超过70 dB，超出应用需求。该值是基于CIFF拓扑结构的CT ΣΔM的典型值。
第三阶CT ΣΔM的模拟部分消耗 350 μW，而数字模块（即DEM和温度计码转二进制转换器）消耗 40 μW，两者均来自1.6‐V电源，并在转换期间工作。FoMS为180 dB。表2总结了该CT ΣΔM实现的性能。

5.2 未来趋势

麦克风前端的进一步效率提升正在发展中，其中一些在此报告。

更高量化器分辨率以降低对时钟抖动的灵敏度

与开关电容架构相比，连续时间‐ΣΔMs的一个主要缺点是在存在时钟抖动的情况下动态范围衰减更严重。事实上，在连续时间‐ΣΔMs中，时钟抖动会导致
反馈型数模转换器所使用的时钟会产生一个等效的噪声分量，该噪声分量直接叠加到输入信号上，而在开关电容结构中则不存在这种情况，因为时钟抖动仅影响输入信号的采样。
在一阶近似下[30],对于一个多位CT‐ΣΔM，信号对抖动噪声比（SJNR）的期望值由以下公式给出：

$$
SJNR= 10 · \log_{10}\left[ \frac{(2^N−1)^2}{16 · OSR · J^2_{RMS} · B^2} \right]\text{[dB]}, \quad (3)
$$

其中 JRMS是时钟抖动的标准差，N为量化器的位数。根据公式(3)，降低时钟抖动引起的性能衰减的一个直接方法是增加量化器的位数。然而，如果采用传统的闪存式模数转换器实现该量化器，则会导致结构更复杂、功耗更大以及硅片面积更大。
鉴于音频转换器使用的过采样率较高，与传统的闪存式模数转换器相比，跟踪型ADC是一种在降低功耗和面积的同时实现高分辨率的便捷解决方案。然而，只有当输入信号保持在跟踪范围内[31]时，跟踪型ADC才能进行正确的转换。
在用作ΣΔM ADC中量化器的跟踪型ADC中，错误或遗漏的转换可能导致不稳定和振荡。
在SC‐ΣΔM中，输入路径需要一个抗混叠滤波器，这种滤波器通常设计为截止频率略高于音频带宽。因此，如果跟踪型ADC能够在抗混叠滤波器的截止频率处处理满量程输入信号，则更高频率的输入信号由于被滤波器本身衰减，将始终处于跟踪范围内。在CT‐ΣΔM中，输入信号仅通过环路滤波器衰减，其截止频率高出一个数量级。因此，传统的跟踪型ADC需要设计更大的跟踪范围，从而增加功耗和面积。
解决此问题的方法可以是使用一种跟踪型ADC，它能够在输入信号超出跟踪范围时仅执行粗略转换，从而确保CT‐ΣΔM的稳定性，同时仍能以全分辨率转换音频频带信号。
对该方案的分析可以参考图 26。值得注意的是，采样保持电路（S& H）在时钟 Ck 的上升沿工作，而反馈型数模转换器在 Ckn 的上升沿触发。
因此，反馈环路中存在半个采样周期的延迟时间（TS/2）。这种延迟在连续时间‐ΣΔM 中是一种常见解决方案，因为它可以降低对量化器的速度要求。
一种用于CT‐ΣΔM的跟踪型ADC如图27所示。比较器数量Ntk是跟踪型 ADC目标分辨率（NADC级）、音频带宽（B）和采样周期（TS）的函数。在一阶近似下，Ntk由以下公式给出：

$$
Ntk= 2 · \text{round}[NADC ·π · B · TS] \quad (4)
$$

比较器阈值可以通过电阻串生成。每个电阻 R 上的电压降等于 VFS/NADC，其中 VFS 是待转换信号的满量程值。
电阻串的上下端连接到两个互补的数模转换器。每个数模转换器产生的电压是 CT‐ΣΔM的函数
输出前一次的结果，同时保持电阻串上的电压降恒定，并以待转换信号为中心。因此，CT‐ΣΔM 的输出可以根据前一次的转换结果和当前跟踪型ADC的输出进行重建。如果跟踪型ADC的输出处于跟踪范围的极限（即为+ Ntk/2 或 −Ntk/2），则在同一转换时间窗口 TS/2 内执行第二次粗略转换。该粗略转换通过将电阻串的两端短接到 Vrneg 和 Vrpos 来实现，其中 Vrpos − Vrneg= VFS。如果此次转换的结果超出跟踪范围，跟踪逻辑将强制在后续的连续转换中使用粗略转换，直到输入信号重新回到跟踪范围内。

反馈型数模转换器中的自适应动态元件匹配

增加量化器位数的缺点是会增加反馈型数模转换器特别是解复用器逻辑的复杂性。为了降低解复用器的复杂性，可以采用一种称为分割或噪声整形分割的技术，其中量化器输出端的N位数字信号可被分割成多个数字信号，每个信号的位数少于N位，从而每个较小的段可以被分别处理并与其他段重新组合[32]。图28展示了该技术应用于一个8位数字信号的示例。数据分路器可以实现为一级级联的一阶数字ΣΔM，如图29所示。该技术有两个主要缺点，限制了可实现的动态范围。第一个是热噪声的影响，考虑到信号由权重最高的数模转换器处理，而其他具有

较小的权重在处理量化噪声。由于热噪声与数模转换器的权重成正比，即使在小幅度输出信号时，噪声底也主要由权重最高的数模转换器产生的热噪声主导，从而限制了动态范围。第二个缺点是数模转换器之间的增益误差：数模转换器间误差仅被一阶高通传递函数整形，因此再次限制了动态范围。因此，需要采用先进的布局技术来最小化数模转换器之间的失配，这增加了复杂性和设计面积。
另一个缺点与功耗有关，并且与前述事实相关：即使输出信号很小，即仅包含在少数几个数模转换器的电平范围内，它实际上也是由权重最高的数模转换器产生的大信号与权重较低的数模转换器产生的较小量化信号相减的结果。
这意味着所有数模转换器必须始终处于活动状态，即小信号时的功耗与满量程时的功耗相当。解决这些问题的方法是采用自适应数据加权平均方案，其中[33],分段式数模转换器可以动态重新配置。一个包络检波器跟踪输入到数模转换器的数字信号的幅度。当信号仅用最低权重的数模转换器（1×）即可表示时，其他段被旁路，其数模转换器被关闭，如图30a所示。同样，当信号仅需用第一和第二最低权重的数模转换器（1×和 4×）表示时，其他段被旁路，其数模转换器被关闭，如图30b所示。最后，当信号幅度需要使用最高权重的数模转换器时，所有段均开启，如图30c所示。可能的工作状态数量等于段的数量。
该解决方案克服了先前技术的多个缺点。在小信号工作（即仅使用数模转换器 1×）时，与大信号工作相比，热噪声降低，从而提高了动态范围。此外，由于仅使用一个数模转换器，避免了因数模转换器间增益误差引起的噪声和失真。对于中等信号工作（即分割仅应用于数模转换器 1× 和 4× 时）也可进行类似的考虑。最后，实现了动态的类似“Class‐H”的功耗：在每种工作状态下，功耗仅来自实际使用的数模转换器单元，而其他数模转换器单元可以被关闭。这意味着在存在小信号时，功耗大大降低。